Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 211 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

211
Таблица 4.11.1
Системы и операционные параметры процессов ионно-плазменного травления
Система Механизм
травления
Давление,
Тор
Электродная система
Расположение
материала
Способ
возбуждения
1 2 3 4 5 6
Радикальное травление
Химический 0.1 - 1 Индуктор или пло-
ские параллель
ные
электроды, располо-
женные вне реакци-
онной камеры
В
кассете в зоне
потокового после-
свечения
ВЧ
Плазменное травление Химический 0.1 - 1 Планарная диодная Н
а заземленном
электроде (аноде)
и
ли в кассете в зоне
плазмы под плава-
ющим потенциалом
ВЧ
Ионное травление Физический 0.01 – 0.1 П
или цилиндрическая
гексагональная
Н
а электроде,
соединенном с ВЧ
генератором (на
катоде)
ВЧ, разряд
постоянного
тока
Реактивное ионное
травление
Химический,
физический
0.001 – 0.01 П
или цилиндрическая
гексагональная
на электроде,
соединенном с ВЧ
генератором (на
катоде)
ВЧ
211 
                                                                                              Таблица 4.11.1
                     Системы и операционные параметры процессов ионно-плазменного травления
      Система              Механизм      Давление,    Электродная система Расположение           Способ
                           травления     Тор                              материала              возбуждения

                1                 2            3               4                   5                  6
      Радикальное травление Химический   0.1 - 1      Индуктор или пло- В кассете в зоне         ВЧ
                                                      ские параллельные потокового после-
                                                      электроды, располо- свечения
                                                      женные вне реакци-
                                                      онной камеры
211




      Плазменное травление Химический    0.1 - 1      Планарная диодная На        заземленном    ВЧ
                                                                          электроде    (аноде)
                                                                          или в кассете в зоне
                                                                          плазмы под плава-
                                                                          ющим потенциалом
      Ионное травление     Физический    0.01 – 0.1   Планарная диодная На          электроде,   ВЧ,   разряд
                                                      или цилиндрическая соединенном с ВЧ        постоянного
                                                      гексагональная      генератором      (на   тока
                                                                          катоде)
      Реактивное ионное    Химический,   0.001 – 0.01 Планарная диодная на          электроде,   ВЧ
      травление            физический                 или цилиндрическая соединенном с ВЧ
                                                      гексагональная      генератором      (на
                                                                          катоде)


                                                      211

Страницы