Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 205 стр.

UptoLike

205
Окончание табл. 4.10.1
1 2 3 4 5 6
Mn, Zn,
ферриты
CCl
4
,
CF
3
Cl,
CF
4
, SF
6
Ar (НД)
, сфокусирован
10
4
5 - 100
Пермаллой
CF
4
, SF
6
,
CCl
4
, Cl
2
То же
, сфокусирован
10
2
80
W I
2
»
, сфокусирован
- -
Майлар О
2
, воздух
»
, сфокусирован
5×10
4
10 - 70
Примечание: НД лазер непрерывного действия (
тр
υ
,
нм/с);
И лазер импульсный (
тр
υ
, нм/имп);
- луч лазера падает перпенди
кулярно
поверхности материала;
||
- луч лазера падает параллельно по
материала
Равномерность фотонно - стимулированного травления зависит от
распределения интенсивности излучения по диаметру пластины и
может составлять больше 95 % при диаметре 100 мм для ламп и
источников рентгеновского излучения. При использовании
сфокусированных лазерных лучей обработку проводят в сканирующем
режиме, производительность которого весьма низка для внедрения в
промышленное производство. Однако создание и освоение мощных
эксимерных лазеров, позволяющих целиком обрабатывать пластину
большого диаметра, несомненно, будет способствовать широкому
внедрению фотонно - стимулированных процессов. Большими
достоинствами этих процессов являются:
возможность одновременного экспонирования и проявления
органических масок,
уменьшение числа загрязнений и дефектов по сравнению с
плазменным и ионно-плазменным травлением,
достижение высоких скоростей удаления материалов, не образующих
летучих соединений,
повышение скорости травления материалов в процессах
плазмохимического и реакционного ионного травления.
Электронно-стимулированное травление. Процессы электронно
- стимулированного травления характеризуются сравнительно малыми
скоростями, поскольку электронный поток вызывает преимущественно
десорбцию частиц с поверхности и применяется только для очистки их
поверхностей. При радикальном травлении скорость процесса при
электронной стимуляции значительно возрастает, что связано с
эффективной очисткой активных центров.
Показатель анизотропии увеличивается при электронной
                                                   Окончание табл. 4.10.1
       1             2        3            4          5       6
                  CCl4,
   Mn, Zn,
                  CF3Cl,   Ar (НД) ⊥ , сфокусирован  104   5 - 100
   ферриты
                 CF4, SF6
                CF4, SF6,
  Пермаллой                 То же  ⊥ , сфокусирован  102     80
                CCl4, Cl2
     W               I2       »    ⊥ , сфокусирован   -        -
   Майлар       О2, воздух    »    ⊥ , сфокусирован 5×10 4
                                                           10 - 70
Примечание:    НД – лазер непрерывного действия (υ тр , нм/с);
И – лазер импульсный (υ тр , нм/имп); ⊥ - луч лазера падает перпендикулярно
поверхности материала; || - луч лазера падает параллельно поверхности
материала

      Равномерность фотонно - стимулированного травления зависит от
распределения интенсивности излучения по диаметру пластины и
может составлять больше 95 % при диаметре 100 мм для ламп и
источников     рентгеновского    излучения.  При     использовании
сфокусированных лазерных лучей обработку проводят в сканирующем
режиме, производительность которого весьма низка для внедрения в
промышленное производство. Однако создание и освоение мощных
эксимерных лазеров, позволяющих целиком обрабатывать пластину
большого диаметра, несомненно, будет способствовать широкому
внедрению фотонно - стимулированных процессов. Большими
достоинствами этих процессов являются:
• возможность одновременного экспонирования и проявления
   органических масок,
• уменьшение числа загрязнений и дефектов по сравнению с
   плазменным и ионно-плазменным травлением,
• достижение высоких скоростей удаления материалов, не образующих
   летучих соединений,
• повышение скорости травления материалов в процессах
   плазмохимического и реакционного ионного травления.
      Электронно-стимулированное травление. Процессы электронно
- стимулированного травления характеризуются сравнительно малыми
скоростями, поскольку электронный поток вызывает преимущественно
десорбцию частиц с поверхности и применяется только для очистки их
поверхностей. При радикальном травлении скорость процесса при
электронной стимуляции значительно возрастает, что связано с
эффективной очисткой активных центров.
      Показатель анизотропии увеличивается при электронной

                                   205