Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 203 стр.

перпендикулярно, так и параллельно поверхности материала. В первом
случае воздействие осуществляется на обрабатываемый материал и
газовую фазу одновременно, во втором — только на газовую фазу.
Кроме того, в каждом случае излучение может быть сфокусировано с
помощью линз.        Особенно усилились работы по фотонно -
стимулированному травлению материалов с появлением мощных
источников ультрафиолетового излучения в области 100 - 300 нм, к
которым следует отнести водородные и дейтериевые лампы с
выходными окнами из MgF2, аргоновый лазер непрерывного действия с
λ = 257 нм и эксимерные лазеры.




Рис. 4.10.2. Системы радиационно-стимулированного травления: а -
фотонно-стимулированное радикальное травление; б,в - фотонно-
стимулированное газовое травление; г - электронно-стимулированное
газовое травление; д - электронно-стимулированное радикальное
травление; е - ионно-стимулированное газовое травление; ж - ионно-
стимулированное радикальное травление. Обозначения: 1 -
обрабатываемый материал, 2 - источник излучения, 3 - генератор
плазмы, 4 - зона плазмы
     В табл. 4.10.1 сведены результаты по травлению материалов с
использованием лазерного излучения. Скорость фотонно -
стимулированного травления в том случае, когда излучение падает
перпендикулярно поверхности обрабатываемого материала, всегда выше,
чем при воздействии излучения только на газовую фазу (падение
                               203