Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 201 стр.

радикалы. В первом случае травление называется радиационно-
стимулированным газовым, во втором - радиационно-стимулированным
радикальным. В качестве стимулирующего воздействия применяются
потоки ионов (ионно-стимулированное травление), электронов
(электронно-стимулированное травление) и излучений (фотонно-
стимулированное травление). Фотонно-стимулированное травление в
зависимости от вида излучения подразделяется на процессы,
стимулированные инфракрасным излучением, излучением в видимой
области спектра, ультрафиолетовым и рентгеновским излучением, а в
зависимости от источника излучения - на лазерное, ламповое и
синхротронное.




Рис. 4.10.1. Классификация процессов радиационно-стимулированного
травления
     При анализе механизмов газового и радикального РСТ следует
различать два случая: когда молекулы газа или радикалы могут
спонтанно (самопроизвольно) травить материал без радиационного
воздействия и когда спонтанное травление материала невозможно. В
первом случае роль радиационного воздействия заключается в
повышении скорости (стимулировании) спонтанного травления, а во
втором параметры радиационного воздействия (вид, энергия и
интенсивность) непосредственно определяют скорость травления
материала. Модель РСТ материала включает следующие основные
стадии:
1. Генерация химически активных частиц из молекул рабочего газа при
   радиационно-стимулированном газовом травлении. Эта стадия может
   быть     стимулирована   радиационным     воздействием,    через
   диссоциацию молекул при поглощении квантов стимулирующего
   излучения.

                               201