Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 200 стр.

решить и эту проблему. Таким образом, в настоящее время процессы
РИЛТ являются наиболее перспективными для изготовления ИМС с
элементами субмикронных размеров.

    4.10. Радиационно-стимулированное травление (РСТ)

     При проведении процессов травления в условиях ННГП процессы
взаимодействия ХАЧ с поверхностью стимулируются потоками ионов,
электронов и излучением плазмы. Однако столь широкий спектр
одновременного воздействия различных стимулирующих факторов не
дает возможности выделить вклад каждого из них в процесс травления
и независимо управлять его параметрами. Повышение концентрации
электронов, например, за счет увеличения мощности, вкладываемой в
плазму, автоматически изменит концентрацию и энергию ионов и
интенсивность излучения плазмы. Еще сложнее дело обстоит, когда
плазма    служит     одновременно     средой,   источником    частиц,
производящих травление, и стимулятором в процессах плазменного и
ионно-плазменного      травления.    В    этом    случае   изменение
стимулирующего воздействия (концентрации электронов) приводит к
изменению еще и концентрации химически активных частиц,
производящих травление. Невозможность точного выделения
стимулирующего воздействия плазмы, а также независимого
управления его параметрами без изменения параметров других
воздействий и потоков частиц приводят:
• к значительному усложнению конструкции оборудования для
   реализации процессов травления за счет обеспечения высокой
   точности и стабильности поддержания операционных параметров;
• к необходимости контролировать момент окончания травления
   слоев;
• к большому разбросу геометрических и электрофизических
   параметров обрабатываемых структур, особенно при групповых
   способах обработки;
• к ограничению функциональных возможностей процессов травления
   по скорости, селективности, разрешению и однородности обработки.
Поэтому в последние годы все больший интерес исследователей,
технологов и разработчиков оборудования привлекают процессы
радиационно-стимулированного травления (рис. 4.10.1 и 4.10.2). При
РСТ поток стимулирующего воздействия и поток частиц, производящих
травление, генерируются и подаются к обрабатываемой поверхности
независимо друг от друга. В качестве ХАЧ, обеспечивающих травление,
могут использоваться как молекулы газов, так и свободные атомы и/или

                                200