Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 198 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

198
компонент РИЛТ.
Существенное влияние на скорость РИЛТ оказывает вид
активного газа, подаваемого в ионный источник. Например, замена C
2
F
6
на SiF
4
или BF
3
снижает скорость РИЛТ SiO
2
в 1.5 и 2 раза,
соответственно. Скорость РИЛТ GaAs в CCl
4
при энергии ионов 750 эВ
и плотности тока 1 мА/см
2
достигает 10 нм/сек, что в два раза выше
скорости травления ионами аргона при аналогичных параметрах пучка.
Кроме самого активного газа, определенное влияние на скорость
процесса оказывают содержащиеся в нем примеси, и особенно –
кислород. При увеличении парциального давления кислорода в 3 – 4
раза скорость РИЛТ алюминия снижается практически на порядок.
Причина этому – восстановление оксидной пленки на поверхности
алюминия и, как следствие, снижение скорости химического
взаимодействия. Отмечено также, что при снижении остаточного
давления кислорода скорость травления большинства металлов и
полупроводников заметно возрастает, что может быть связано с более
легкой адсорбцией ХАЧ на чистой поверхности. Наличие угловых
зависимостей скорости РИЛТ (рис. 4.9.2,г) свидетельствует о
доминировании химического механизма для данных систем.
Таблица 4.9.1
Скорости РИЛТ кремния и его соединений, нм/сек
Материал Ar SF
6
CF
4
C
3
F
6
C
3
F
8
Si 1.3 6.2 2.9 3.3 2.8
SiO
2
2.8 16.3 18.1 11.0 17.0
Si
3
N
4
1.7 19.7 11.8 23.4 15.0
Рис. 4.9.2. Зависимость скорости РИЛТ от параметров процесса: а - 
компонент РИЛТ.
     Существенное влияние на скорость РИЛТ оказывает вид
активного газа, подаваемого в ионный источник. Например, замена C2F6
на SiF4 или BF3 снижает скорость РИЛТ SiO2 в 1.5 и 2 раза,
соответственно. Скорость РИЛТ GaAs в CCl4 при энергии ионов 750 эВ
и плотности тока 1 мА/см2 достигает 10 нм/сек, что в два раза выше
скорости травления ионами аргона при аналогичных параметрах пучка.
Кроме самого активного газа, определенное влияние на скорость
процесса оказывают содержащиеся в нем примеси, и особенно –
кислород. При увеличении парциального давления кислорода в 3 – 4
раза скорость РИЛТ алюминия снижается практически на порядок.
Причина этому – восстановление оксидной пленки на поверхности
алюминия и, как следствие, снижение скорости химического
взаимодействия. Отмечено также, что при снижении остаточного
давления кислорода скорость травления большинства металлов и
полупроводников заметно возрастает, что может быть связано с более
легкой адсорбцией ХАЧ на чистой поверхности. Наличие угловых
зависимостей скорости РИЛТ (рис. 4.9.2,г) свидетельствует о
доминировании химического механизма для данных систем.

                                                       Таблица 4.9.1
           Скорости РИЛТ кремния и его соединений, нм/сек
Материал    Ar         SF6         CF4        C3F6        C3F8
Si          1.3        6.2         2.9        3.3         2.8
SiO2        2.8        16.3        18.1       11.0        17.0
Si3N4       1.7        19.7        11.8       23.4        15.0




Рис. 4.9.2. Зависимость скорости РИЛТ от параметров процесса: а -
                                198

Страницы