Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 196 стр.

   системы. На выходе из нее осуществляется компенсация объемного
   заряда ионного пучка при инжекции в него электронов из
   термокатода;
• плазменные ускорители, которые сразу создают пучок ионов с
   компенсированным объемным зарядом;
• многопучковые ионные источники с наложением магнитного поля
   (источники Кауфмана).
      Наличие химической составляющей в механизме РИЛТ приводит
к тому, что, кроме энергетических характеристик ионного пучка,
скорость процесса становится чувствительной и к составу пучка - этот
параметр определяет качественный и количественный состав
образующихся нейтральных ХАЧ. Достоинством источников Кауфмана
является возможность регулирования состава ионного пучка в
достаточно широких пределах при изменении величины индукции
магнитного поля (рис. 4.9.1,а). Еще одной важной характеристикой
механизма РИЛТ является соотношение вкладов химического и
физического взаимодействия. Для ответа на этот вопрос достаточно
сравнить выход травления YВ (фактическое количество атомов
обрабатываемого материала, удаляемых на один падающий ион) и
коэффициент распыления материала при данной энергии ионов YР . При
YВ ≈ YР можно говорить о том, что вклад химического взаимодействия
невелик, а основной вклад вносит физическое распыление материала.
Напротив, при YВ > YР        химическое взаимодействие является
доминирующим, при этом отношение тангенсов углов наклона
зависимостей YВ и YР от энергии ионов дает величину коэффициента
ионного усиления YИ (рис. 4.9.1,б).




Рис. 4.9.1. Характеристики механизма ИЛТ: а - влияние магнитного
поля в источнике Кауфмана на соотношение компонентов в ионном
пучке (CF4, 500 эВ); б - зависимости выхода травления и коэффициента
ионного усиления от энергии ионов в CF4

                                196