Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 195 стр.

2. Ограничение скорости травления за счет теплового воздействия
   ионов на органическую маску.
3. Значительное    тепловое     и    радиационное    воздействие    на
   обрабатываемые структуры, ограничивающее применение процесса
   для изготовления МДП – структур.
4. Переосаждение распыленного материала на боковых стенках
   структур.
5. Образование фасок в плоскостях, соответствующих углам, при
   которых обеспечивается максимальная скорость травления.
6. Подтравливание и уменьшение толщины слоев на боковых гранях и
   плоскостях вблизи стенок за счет отражения ионов.
      В настоящее время ИЛТ применяется для изготовления приборов
на основе пермаллоя, ортоферритов, гранатов, ниобата лития, свинца, то
есть тех материалов, для которых еще не в полной мере разработаны
процессы ионно-химического и плазмохимического травления.
Дальнейшее совершенствование ИЛТ (и в первую очередь с
использованием автономных ионных источников) должно быть
направлено на травление материалов через неорганические маски,
формируемые с помощью ионно-химических и плазмохимических
процессов, разработку низкоэнергетических ионных источников (300 -
500 эВ) с высокой плотностью тока (5 - 10 мА/см2), встроенных в
системы для индивидуальной обработки пластин большого диаметра с
охлаждением последних до температуры жидкого азота, что позволит
достичь высоких плотностей тока и существенно повысит
производительность процесса.

       4.9. Реактивное ионно-лучевое травление (РИЛТ)

     РИЛТ называется процесс, при котором обрабатываемый материал
вынесен из зоны плазмы, находится в вакууме и подвергается действию
пучка ускоренных ионов химически активного газа. В процессах
перезарядки, диссоциации и нейтрализации в пучке и на поверхности
обрабатываемого материала эти ионы могут образовывать нейтральные
ХАЧ и производить химическое травление. Таким образом, по
сравнению с ИЛТ, РИЛТ использует как физическое, так и химическое
взаимодействие ионов с поверхностью, что позволяет достигать более
высоких скоростей процесса.
     Процессы РИЛТ обычно реализуются в системах с автономными
ионными источниками, которые можно разделить на три большие
группы:
• электростатические источники ионов, в которых ионный пучок
   формируется с помощью электростатической ионно-оптической
                                 195