Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 197 стр.

      Опыт показывает, что максимально возможный вклад химических
реакций в процесс РИЛТ реализуется при энергиях ионов меньше 200
эВ. Это объясняется созданием при определенной критической энергии
ионов максимально возможного числа активных центров на
обрабатываемой поверхности, на которых протекает взаимодействие
ХАЧ.
      Основными параметрами, определяющими скорость РИЛТ,
количественно являются: плотность пучка, угол падения пучка на
подложку, масса и энергия бомбардирующих частиц и степень их
химической активности по отношению к обрабатываемому материалу
(тип рабочего газа и его давление), степень легирования материала и
тип легирующей примеси. Для одного материала скорость РИЛТ (табл.
4.9.1) в 3 – 15 раз превышает скорость ИЛТ, но в 2 - 3 раза уступает
скорости ПХТ. Практически скорость РИЛТ лимитируется мощностью,
рассеиваемой на подложке, поскольку стойкость органических
резистивных масок при достижении температуры 100 – 120 оС
значительно снижается. Поэтому, хотя плотность мощности известных
источников ионов составляет 10-8 – 103 Вт/см2, предельная плотность
мощности для образцов, расположенных на неохлаждаемом
подложкодержателе, не должна превышать 0.05 Вт/см2, а для образцов
на водоохлаждаемом подложкодержателе - 0.5 Вт/см2.
      Рис. 4.9.2 показывает зависимости скорости РИЛТ от основных
параметров процесса. С увеличением энергии ионов (рис. 4.9.2,а)
скорость РИЛТ сначала возрастает, однако при энергиях порядка
1000 эВ выходит на насыщение или снижается. Это связано как со
снижением вклада химического взаимодействия, так и с тем, что при
высоких энергиях начинают проявляться эффекты имплантации ионов.
Зависимость скорости РИЛТ от плотности ионного тока определяется
многими факторами: видом рабочего газа, адгезионной способностью
поверхности, характеристиками источника ионов, и поэтому
однозначно охарактеризовать вид данной зависимости практически
невозможно. Для многих материалов при увеличении плотности
ионного тока наблюдается линейное возрастание скорости РИЛТ,
однако для некоторых систем (например, для C2F6-SiO2, рис. 4.9.2,б) на
зависимости υ тр = f ( jи ) появляется тенденция к насыщению.
Предположительно это является следствием изменения адсорбционной
способности поверхности при превышении определенной дозы
облучения. При повышении давления отмечается увеличение скорости
РИЛТ (рис. 4.9.2,в), поскольку при этом, наряду с небольшим
ослаблением физического компонента, резко повышается плотность
нейтральных ХАЧ и, как следствие, усиливается химический

                                 197