Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 199 стр.

энергии ионов; б - плотности ионного тока; в - давления C4F8; г - угла
падения ионов CFx+ при РИЛТ SiO2 (1 – 1000 эВ, 2 – 600 эВ, 3 – 400 эВ,
4 – 200 эВ) и при ИЛТ SiO2 ионами аргона 600 эВ (5)

      Значительное увеличение скорости РИЛТ наблюдается при
уменьшении расстояния от ионного источника до обрабатываемой
поверхности.     Очевидно,   это    связано   с    характеристиками
диффузионного транспорта ХАЧ.
      Процесс РИЛТ более точно воспроизводит профиль элементов
субмикронных размеров, чем процесс ИЛТ. Кроме того, при РИЛТ
значительно уменьшены эффекты переосаждения материала, которые
также приводят к искажению профилей травления элементов при
ионно-лучевом травлении, особенно в случае субмикронных размеров.
Высокий показатель анизотропии травления РИЛТ (L = 10 - 100)
позволяет получать в слоях рабочих материалов элементы
субмикронных размеров, вплоть до 0,1 мкм. Из вакуумно-плазменных
процессов травления только процессы ионно-лучевого травления
обладают такой же разрешающей способностью. Однако процессы
реактивного ионно-лучевого травления имеют по сравнению с ними
следующие преимущества:
1. Более низкие энергии ионов (0.1 - 0.5 кэВ вместо 0.5 -2.0 кэВ)
   позволяют проводить травление любых материалов через
   органические резистивные маски, тогда как в процессах ИЛТ часто
   необходимо использовать дополнительные неорганические маски.
   Кроме того, при РИЛТ уменьшаются радиационные повреждения
   поверхностных слоев обрабатываемых материалов.
2. Более высокая селективность травления материалов (5 - 10 вместо 2 -
   5) позволяет проводить травление пленок материалов на тонких
   подслоях без повреждения последних.
3. Уменьшение эффектов переосаждения удаляемого материала и
   благоприятная угловая зависимость скорости травления позволяет
   более воспроизводимо получать как профили, так и линейные
   размеры элементов субмикронных размеров.
      Энергетическая    ионная     бомбардировка     обрабатываемой
поверхности при РИЛТ может изменять электрофизические параметры
МДП - структур. Однако травление со снижением мощности разряда в
ионном источнике в конце цикла травления позволяет избавиться от
этого недостатка. Поверхность обрабатываемого материала при РИЛТ
может загрязняться материалами элементов ионного источника,
подложкодержателя и нелетучими компонентами рабочего газа. Однако
правильным выбором состава рабочего газа и материалов элементов
источника и подложкодержателя можно полностью или частично
                                 199