Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 193 стр.

     При ИЛТ травлении нецелесообразно использовать толстые
органические резистивные маски, поскольку скорость травления будет
при этом резко падать в результате переосаждения распыленных
атомов. Переосаждение будет приводить к образованию V-образного
профиля в рабочем материале, а распыленные атомы могут осаждаться
в виде пленки на боковых стенках маски и оставаться на вытравленном
рельефе после удаления маски. Зависимость скорости травления
материала от угла падения ионного пучка вызывает крайне
нежелательное явление - изменение профиля маски. При этом маска,
первоначально имеющая вид полуокружности, приобретает форму
клина, боковые грани которого наклонены под таким углом, что
скорость распыления материала маски достигает максимального
значения. Резкое увеличение скорости распыления боковых граней
защитной маски приводит к ее удалению, обнажая материал
функционального слоя и вызывая уход (искажение) размеров
создаваемого рисунка.
     Из-за низкой селективности процесса с помощью ИЛТ нельзя
непосредственно через органическую маску получить рисунки с
субмикронными размерами в слоях рабочих материалов необходимой
толщины. Поэтому используют методы переноса маски, когда рисунок с
органической маски переносится на слой неорганического материала,
выполняющего функцию неорганической резистивной маски, через
которую затем производится травление рабочего материала. Самую
низкую скорость травления имеет углерод.
     Характерное для ИЛТ направленное движение ионов, падающих
на обрабатываемый материал перпендикулярно его поверхности,
обеспечивает очень высокую анизотропию. При давлении в рабочей
камере менее 0.1 Па, когда по существу отсутствует рассеивающее
столкновение ионов с нейтральными атомами у поверхности образца,
показатель анизотропии может быть более 100. Высокая анизотропия
ИЛТ позволяет переносить рисунки субмикронных размеров,
полученные в органической маске, на слои рабочих материалов, причем,
при L > 100 перенос не должен практически сопровождаться
увеличением переносимых размеров, т. е. разрешение, полученное в
маске, должно полностью воспроизводиться в рабочем материале.
Однако толщина слоя рабочего материала, на которую может быть
перенесен рисунок с маски, существенно зависит от рассмотренной
ранее селективности процесса.
     В МИИ, которые наиболее часто применяются для реализации
ИЛТ, равномерность травления в первую очередь зависит от трех
главных параметров: ускоряющего напряжения, напряженности
магнитного поля и давления в рабочей камере. При совместной
                                193