Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 191 стр.

   стенок разрядной камеры, находящихся под потенциалом катода, и
   тем самым обеспечивает возможность получения ионного пучка с
   малым разбросом энергии и относительно малым (около 10-6)
   количеством примесей;
• специфическим механизмом разряда, позволяющим создавать
   разрядную камеру большого диаметра, что при довольно гомогенном
   распределении плотности плазмы обеспечивает извлечение
   однородного многолучевого ионного пучка;
• низким давлением в разрядной камере (10-1—10-2 Па), в результате
   чего в пространстве действия ионного пучка, например в камере
   распыления, можно поддерживать высокий вакуум при относительно
   низкой мощности откачной системы;
• высоким         коэффициентом      использования    рабочего    газа
   (до 80%) и малыми затратами энергии на получение одного иона.
      Среди недостатков МИИ необходимо выделить два основных
момента. Во-первых, наличие термокатода ограничивает применение
источника для формирования ионных пучков в химически активных
средах. Данное ограничение можно частично снять, используя
плазменный катод. Во-вторых, магнитное поле, используемое в
источниках, возбуждает плазменные нестабильности, которые
оказывают влияние на оптические свойства и компенсацию
пространственного заряда ионного пучка. В этом плане значительный
интерес представляют последние разработки, в которых эффективная
ионизация рабочего газа осуществляется без использования магнитного
поля. Удержание плазмы в разрядной камере и повышение
эффективности ионизации в источниках этого типа (например, в
источниках с седловидной формой поля) достигаются за счет градиента
электрического поля, который создается с помощью анодов
специальной конструкции, или за счет размещения дополнительных
анодов в пределах разрядной камеры.
      Помимо коэффициента распыления, зависящего от вида
подвергаемого обработке материала, скорость ИЛТ травления зависит
от мощности ионного источника (рис. 4.8.4,а), плотности ионного тока
(рис. 4.8.4,б), угла падения ионов на обрабатываемую поверхность (рис.
4.8.4,в), расстояния между ионным источником и обрабатываемой
поверхностью (рис. 4.8.4,г), вида и энергии ионов (рис. 4.8.4,д).
Существенное влияние на скорость ИЛТ оказывают активные газы и
пары (О2, СО, СО2, N2, Н2О, углеводороды), содержащиеся в остаточной
среде рабочей камеры после ее откачки вакуумными насосами. Так, с
увеличением парциального давления О2 скорость ИЛТ, как правило,
снижается. Это может быть связано со снижением коэффициента
распыления из-за образования на поверхности оксидной пленки. Пары
                                   191