Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 192 стр.

воды и СО2, диссоциируя в электрических разрядах, выделяют
кислород, поэтому их влияние на скорость ионно-лучевого травления
материалов аналогично влиянию чистого кислорода. Присутствие СО
приводит к небольшому увеличению скорости процесса, очевидно, из-за
связывания остаточного кислорода с образованием СО2. Присутствие
небольшого количества азота не оказывает заметного влияния на
скорость процесса. Уменьшая коэффициент распыления (а
следовательно, и скорость травления неорганических материалов),
активные газы одновременно увеличивают скорость травления
фоторезистивных масок. Для устранения этого крайне нежелательного
эффекта обрабатываемые структуры помещают на мишени,
изготовленные из материалов с высокой сорбционной способностью
(титан, тантал, ниобий, молибден).




Рис. 4.8.4. Зависимости скорости ИЛТ от параметров процесса: кремния
от мощности разряда в ионном источнике (a), InP от плотности ионного
тока (б), различных элементов и соединений от угла падения ионов α
(в), SiO2 от расстояния между ионным источником и подложкой (г),
кремния, алюминия и золота от энергии ионов Хе+ и Аг+ (д)
      Разрешение процесса ИЛТ травления при переносе рисунка с
маски на создаваемую структуру в значительной мере определяется
селективностью травления рабочего материала относительно материала
органической резистивной маски. Органические резистивные маски,
пригодные для получения субмикронных размеров, представляют собой
слои электроно- или рентгенорезистов, причем наиболее широко для
этой цели используется полиметилметакрилат (ПММА) или соединения
на его основе.
                                192