Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 244 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

244
различных подложках и различными скоростями травления в различных
позициях подложкодержателя.
Рис. 6.3.1 Изменение интенсивности пика SiF
3
+
(кривая А - O
2
+
, кривая В
- N
+
) во время РИПТ в смеси 92% CF
4
+ 8% O
2
: а - пленка SiO
2
на
кремниевой подложке; б - пленка Si
3
N
4
на кремниевой подложке;
в - пленка SiO
2
на 10 кремниевых подложках (массовая обработка);
г - пленки поликремния и SiO
2
на кремниевых подложках;
д - фоторезист на кремниевой подложке. 1 и 2 – моменты включения и
выключения ВЧ мощности
Изменение сигнала SiF
3
+
при травлении поликристаллического
кремния значительно отличается от изменения сигнала при травлении
монокристаллической подложки. В представленном на рис. 6.3.1,г
примере были последовательно стравлены пленки поликремния и SiO
2
на подложке монокристаллического Si. Заметный подъем амплитуды
сигнала, соответствующий увеличению скорости травления
поликремния, был вызван повышением температуры в ходе травления.
Момент окончания удаления фоторезиста также можно определить по
изменению сигнала SiF
3
+
, появление которого соответствует началу
травления материала подложки при полном снятии слоя фоторезиста
(рис. 6.3.1,г). Если удаление фоторезиста проводят в плазме чистого
кислорода, контроль процесса возможен по пику CO
2
+
, исчезновение
которого фиксирует момент окончания процесса.
При простоте измерений количественная интерпретация масс-
различных подложках и различными скоростями травления в различных
позициях подложкодержателя.




Рис. 6.3.1 Изменение интенсивности пика SiF3+ (кривая А - O2+, кривая В
- N+) во время РИПТ в смеси 92% CF4 + 8% O2: а - пленка SiO2 на
кремниевой подложке; б - пленка Si3N4 на кремниевой подложке;
в - пленка SiO2 на 10 кремниевых подложках (массовая обработка);
г - пленки поликремния и SiO2 на кремниевых подложках;
д - фоторезист на кремниевой подложке. 1 и 2 – моменты включения и
выключения ВЧ мощности

      Изменение сигнала SiF3+ при травлении поликристаллического
кремния значительно отличается от изменения сигнала при травлении
монокристаллической подложки. В представленном на рис. 6.3.1,г
примере были последовательно стравлены пленки поликремния и SiO2
на подложке монокристаллического Si. Заметный подъем амплитуды
сигнала,     соответствующий    увеличению     скорости   травления
поликремния, был вызван повышением температуры в ходе травления.
Момент окончания удаления фоторезиста также можно определить по
изменению сигнала SiF3+, появление которого соответствует началу
травления материала подложки при полном снятии слоя фоторезиста
(рис. 6.3.1,г). Если удаление фоторезиста проводят в плазме чистого
кислорода, контроль процесса возможен по пику CO2+, исчезновение
которого фиксирует момент окончания процесса.
      При простоте измерений количественная интерпретация масс-
                                 244

Страницы