Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 251 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ИГХТУ | Иваново

Составители: 

Рубрика: 

251
• при заведомо известном механизме и сечении возбуждения
относительное изменение концентраций частиц при варьировании
параметров разряда может быть охарактеризовано приведенными
(нормализованными) интенсивностями излучения
(
)
eex
nkII =
*
, где
I
– экспериментально измеренная интенсивность.
Таблица 6.4.1
Эмиссионные линии и полосы, используемые для контроля процессов
плазменного травления
Материал Плазма
Излучающий
компонент
λ
, нм
Поликремний SF
6
, CF
4
/O
2
F
CO
704
298, 484, 520
Cl
2
, CCl
4
SiCl
Cl
2
Cl
287
256
453, 725
Si
3
N
4
CF
4
/O
2
F
N
2
CN
704
387
674
SiO
2
C
2
F
6
, CHF
3
, C
3
F
8
CO 484
Al Cl
2
, CCl
4
, BCl
3
Al
AlCl
Cl
2
CCl
Cl
396
261
256
254
725
Cu Cl
2
Cu
CuCl
Cl
2
Cl
325, 327
436, 444
256
453, 725
GaAs Cl
2
GaCl
Ga
Cl
2
Cl
335
417
256
453, 725
Фоторезист O
2
CO
OH
H
O
298, 484
309
656
777, 843
Наиболее простым и получившим широкое распространение
является первый из перечисленных вариантов, часто используемый для
регистрации моментов начала и окончания процессов травления. Один 
• при заведомо известном механизме и сечении возбуждения
  относительное изменение концентраций частиц при варьировании
  параметров разряда может быть охарактеризовано приведенными
  (нормализованными) интенсивностями излучения I * = I (k ex ne ) , где I
  – экспериментально измеренная интенсивность.

                                                   Таблица 6.4.1
Эмиссионные линии и полосы, используемые для контроля процессов
                    плазменного травления
                                         Излучающий
Материал         Плазма                                    λ , нм
                                         компонент
Поликремний      SF6, CF4/O2       F                  704
                                   CO                 298, 484, 520
                Cl2, CCl4          SiCl               287
                                   Cl2                256
                                   Cl                 453, 725
Si3N4           CF4/O2             F                  704
                                   N2                 387
                                   CN                 674
SiO2            C2F6, CHF3, C3F8   CO                 484
Al              Cl2, CCl4, BCl3    Al                 396
                                   AlCl               261
                                   Cl2                256
                                   CCl                254
                                   Cl                 725
Cu              Cl2                Cu                 325, 327
                                   CuCl               436, 444
                                   Cl2                256
                                   Cl                 453, 725
GaAs            Cl2                GaCl               335
                                   Ga                 417
                                   Cl2                256
                                   Cl                 453, 725
Фоторезист      O2                 CO                 298, 484
                                   OH                 309
                                   H                  656
                                   O                  777, 843
      Наиболее простым и получившим широкое распространение
является первый из перечисленных вариантов, часто используемый для
регистрации моментов начала и окончания процессов травления. Один

                                   251

Страницы