Вакуумно-плазменные процессы и технологии. Ефремов А.М - 252 стр.

из   примеров     реализации     такого   контроля    может     быть
проиллюстрирован рис. 6.4.4, на котором представлена зависимость
интенсивности полосы CuCl (435.8 нм), измеренная при ПХТ пленок
меди в плазме хлора, от времени процесса при различных температурах
обрабатываемого материала. Как видно, кривые имеют характерный
вид и состоят из четырех ярко выраженных участков. На первом
участке, после включения разряда, наблюдается полное отсутствие
CuCl в газовой фазе, так как интенсивность находится на уровне фона.
Это может быть объяснено тем, что для начала реакции необходимо
образование на поверхности слоя адсорбированного хлора. Второй
участок характеризуется резким возрастанием интенсивности, что
соответствует началу травления. Затем, на третьем участке, достигшая
максимального значения величина интенсивности полосы CuCl в
течение некоторого времени остается постоянной, указывая на
постоянство концентрации монохлорида меди в газовой фазе, а
следовательно, и на постоянство скорости травления в границах этого
участка. Длительность всех упомянутых участков обратно
пропорциональна температуре обрабатываемого материала. Четвертый
участок характеризуется резким спадом интенсивности, что
соответствует полному стравливанию помещённого в разрядник
образца. Это следует и из постоянства площадей под упомянутыми
кривыми, а довольно пологий ход последнего участка можно объяснить
неравномерным дотравливанием по площади.
                                                                      ICuCl (λ = 435.8 нм), отн. ед.
         17   -2     -1
                                      I, отн. ед.
12.0 R, 10 см сек
            1                                       4.0     4,0                                              1
           2                                                                                                 2
           3                                                                                                 3
 8.0


                                                    2.0     2,0
4.0



0.0                                                 0.0     0,0
                   350               400                          0            5         10        15   20       25
                    Температура, К                                                       Время, мин

Рис. 6.4.3. Температурная зави-                            Рис. 6.4.4. Зависимость интенси-
симость скорости травления                                 вности излучения полосы CuCl
GaAs (1) и интенсивности                                   435.8 нм от времени процесса при
излучения продуктов взаимо-                                различных температурах медного
действия (2, 3) (60 Па, 20 мА): 2 -                        образца реакторе (100 Па, 20 мА): 1
Ga 417.3 нм; 3 – GaCl 334.8 нм                             – 593 К; 2 – 583 К; 3 – 553 К

                                                          252