Физико-химические основы технологии полупроводниковых материалов. Ежовский Ю.К - 8 стр.

UptoLike

Рис.1.1. Графический вид зависимости S=f (x
A
, x
B
)
Любая очистка всегда является многостадийным процессом и состо-
ит из серии элементарных актов разделения, каждый из которых характе-
ризуется термодинамическим коэффициентом разделения:
(
)
()
yx
xy
K
=
1
1
, (1.4)
где y и x - мольная доля примеси в обедненной и обогащенной фракциях
соответственно.
Процесс очистки должен отвечать неравенству y<y
o
< x, где y
o
- моль-
ная доля примеси в исходном веществе. Применительно к глубокой
очистке веществ, когда x<<1 и y<<1, соотношение (1.4) запишется в более
простом виде: K= y/x. (1.5)
1.3.Классификация и общая характеристика методов очистки веществ
Процесс очистки веществ часто сравнивают с получением высокого ва-
куума. Природа не терпит ни пустоты,
ни чистоты. Существует достаточно
много методов очистки, причем каждый из них позволяет избавиться от
ограниченного числа примесей. Только применяя последовательно не-
сколько методов, можно добиться желаемых результатов.
- 8 -