Составители:
15
вых 0
1
;
m
jjv
jjv
jjv
qA Aq Aqq
=≠
=+ +
∑∑
(2.2)
квадратного уравнения
2
вых 0
11
.
mm
jjv jj
jjv
jjv j
qA Aq Aqq Bq
=≠ =
=+ + +
∑∑ ∑
(2.3)
При линейной интерпретации процесса режимные факторы варьиру-
ются на двух уровнях: нижнем q
jmin
и верхнем q
jmax
, интервалы варьи-
рования q
jmin
– q
jmax
выбираются симметричными относительно номи-
нальных значений факторов, а их протяженность такой, чтобы выходные
параметры изделий не выходили за пределы допустимых значений, ус-
танавливаемых техническими требованиями. Для удобства записи про-
граммы эксперимента нижним уровнем факторов присваивают кодиро-
ванное обозначение (–1), номинальным (0), верхним (+1). Общее
количество опытов, задаваемое всеми возможными сочетаниями m фак-
торов, варьируемых на двух уровнях, составляет
N = 2m. (2.4)
Программа, предусматривающая реализацию всех N опытов, называ-
ется полным факторным экспериментом (ПФЭ). При линейной интерпре-
тации исследуемого процесса отсеивающие эксперименты, проводимые
по программе ПФЭ, обладают большой избыточностью, и в этом случае
используют дробные планы, число опытов в которых выбирается равным
1/2N, 1/4N, 1/8N. План 1/2N называют полурепликой ПФЭ.
Программа эксперимента, записанная в матричной форме (см.
табл. 2.3), носит название матрицы планирования. Матрица планиро-
вания устанавливает последовательность проведения эксперимента
и кодирование значений факторов для каждого опыта.
Объект экспериментирования
Объектом исследования является процесс термовакуумного напы-
ления резистивных пленок. Механизм процесса термовакуумного на-
пыления тонких пленок, в том числе резистивных, достаточно подроб-
но рассмотрен в литературе [2,3]. Определяющим выходным
параметром резистивной пленки служит ее удельное сопротивление –
сопротивление квадрата пленки. Режимными факторами процесса тер-
мовакуумного напыления, определяющими удельное сопротивление
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 13
- 14
- 15
- 16
- 17
- …
- следующая ›
- последняя »
