Составители:
16
пленки для данного материала и типа подложки, являются: глубина ваку-
ума, температура подложки, ток подогревателя, время напыления, тем-
пература стабилизации, время стабилизации. Последние два фактора не
относятся непосредственно к процессу напыления. Технологический про-
цесс конденсации пара и образования тонкой пленки на подложке не явля-
ется длительным (несколько секунд). В результате этого структура плен-
ки не соответствует структуре с малой внутренней энергией и такая
структура нестабильна. С течением времени или с изменением темпера-
туры эта структура изменяется, а следовательно, меняются и электри-
ческие характеристики пленки. Поэтому для стабилизации характерис-
тик тонких пленок рекомендуется после напыления подвергать их
термической обработке с параметрами: температура стабилизации, вре-
мя стабилизации. Термообработка существенным образом влияет на зна-
чение удельного сопротивления резистивной пленки и его стабильность.
Первая часть работы "Отсеивание несущественных факторов про-
цесса термовакуумного напыления реэистивных пленок" включает
практическую реализацию матрицы планирования отсеивающего эк-
сперимента, содержащей 1/8N ПФЭ для шести режимных факторов
и построение по результатам эксперимента диаграммы рассеивания
(рис. 2.1). Анализ диаграммы позволяет выявить три наименее зна-
чимых фактора, которые исключаются из дальнейшего рассмотре-
ния при выполнении второй части работы.
Вторая часть работы "Построение математической модели процес-
са термовакуумного напыления резистивных пленок" включает четы-
рехкратную реализацию матрицы планирования, содержащей ПФЭ для
трех доминирующих режимных факторов и математическую обработ-
ку полученных результатов: вычисление и проверку однородности пост-
рочных дисперсий для выявления грубых ошибок, которые могли быть
допущены при проведении эксперимента; вычисление постоянного чле-
на и коэффициентов полинома линейной модели процесса; проверку адек-
ватности полученной модели, позволяющую подтвердить или опроверг-
нуть правомерность исходной предпосылки о линейной интерпретации
процесса напыления.
Вычисление и проверка однородности построчных дисперсий
1. Расчет средних значений удельного сопротивления резистивной
пленки. Рассчитываются построчные средние значения удельных со-
противлений пленки
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 14
- 15
- 16
- 17
- 18
- …
- следующая ›
- последняя »
