Составители:
Рубрика:
7
(2-й способ).
Определим напряженность электрического поля E
0
непосредственно у поверх-
ности сферы при отсутствии маленького отверстия. Для этого воспользуемся
теоремой Гаусса для сферической поверхности радиуса r =R+dr.
2
2
00
00
4r
E4 r , E
πσ σ
π
εε
==
.
E
0
- сумма напряженностей, создаваемых сферой с маленьким отверстием и ма-
ленького участка заряженной поверхности закрывающего это отверстие.
Е
0
= Е
сф
+ Е
отв
Маленький участок заряженной поверхности можно считать плоскостью для
точек бесконечно близких к этой поверхности. Тогда для плоскости
Е
отв
=
σ
/2
ε
0
вне сферы, и Е
отв
= -
σ
/2
ε
0
внутри сферы вблизи поверхности сферы.
Отсюда напряженность, создаваемая сферой в центре маленького отверстия
равна: Е
сф
= Е
0
– Е
отв
=
σ
/2
ε
0
= Е.
Следовательно, результаты обоих способов решения совпадают. Второй способ
проще, т.к. удалось избежать интегрирования. В данном методе мы дополнили
сферу до сферически симметричного случая, заполнив отверстие.
7 (2-й способ). Определим напряженность электрического поля E0 непосредственно у поверх- ности сферы при отсутствии маленького отверстия. Для этого воспользуемся теоремой Гаусса для сферической поверхности радиуса r =R+dr. 4π r 2σ σ E0 4π r 2 = , E0 = . ε0 ε0 E0 - сумма напряженностей, создаваемых сферой с маленьким отверстием и ма- ленького участка заряженной поверхности закрывающего это отверстие. Е0 = Есф + Еотв Маленький участок заряженной поверхности можно считать плоскостью для точек бесконечно близких к этой поверхности. Тогда для плоскости Еотв = σ/2ε0 вне сферы, и Еотв = -σ/2ε0 внутри сферы вблизи поверхности сферы. Отсюда напряженность, создаваемая сферой в центре маленького отверстия равна: Есф = Е0 – Еотв = σ/2ε0 = Е. Следовательно, результаты обоих способов решения совпадают. Второй способ проще, т.к. удалось избежать интегрирования. В данном методе мы дополнили сферу до сферически симметричного случая, заполнив отверстие.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 5
- 6
- 7
- 8
- 9
- …
- следующая ›
- последняя »