Составители:
Рубрика:
инвариантность). На рис. 23 приведены спектры комбинационного рассеяния для AlAs-
подобных мод в сверхрешетке GaAs/AlAs. Широкая полоса, расположенная посередине
между частотами LO и ТО фононов, характерна для интерфейсных мод в симметричных
структурах (т.е. при
d
A
= d
B
). Наблюдаемый пик соответствует соотношению ε
A
(ω
IF
)= –ε
B
(ω
IF
). В асимметричном случае для получения длинноволновых решений при θ=π/2
следует использовать выражения (26) и (27). В отличие от симметричного случая, при
d
A
≠d
B
появляются две различных моды. Им отвечают две полосы в спектрах,
приведенных в нижней части рис. 23. Доминирует полоса с большим или с меньшим
рамановским сдвигом в зависимости от условия
d
A
>d
B
или d
A
< d
B
.
Рис. 23. Рамановские спектры в области частот оптических фононов объемного AlAs, полученные в
резонансных условиях при ёь || es для СР GaAs/AlAs (А/В) с различными отношениями между толщиной
слоев: 1) йд = с/в; 2) ds — Зс/д; 3) d\ = 3ds при Т = 10 К
Спектры на рис. 23 можно качественно объяснить как проявление простых
электростатических интерфейсных мод типа, предсказанного уравнением (18), без учета
взаимодействия с квантованными модами с нечетными значениями
m.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 26
- 27
- 28
- 29
- 30
- …
- следующая ›
- последняя »
