Технология изготовления полупроводниковых электронных схем. Королев А.П - 5 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТГТУ | Тамбов

Составители: 

Рубрика: 

5
∆
−
∆
ν=
kT
Ea
k
S
D exp
8
exp
2
,
или в форме закона Аррениуса:
∆
−=
kT
E
DD exp
0
,
где
.
8
exp
2
0
a
k
S
D
∆
ν=
Порядок выполнения работы
1. На основании экспериментальных данных были определены
значения коэффициентов диффузии цинка в монокристаллах чистой
меди:
Т, К 1322 1253 1176 1007 878
D, м
2
/с
1,0⋅10
–12
4,0⋅10
–13
1,1⋅10
–13
4,0⋅10
–15
1,6⋅10
–16
По этим данным рассчитать энергию активации ∆Е и частотный
фактор D
0
. Построить график в координатах In
D – 1000/Т.
При меч ан и е: экспериментальные данные по температурной зависимо-
сти коэффициента диффузии в координатах In D – 1/Т апроксимируются ли-
нейной функцией y = ах + b, параметры которой могут быть определены по
методу наименьших квадратов [3, 12], где а = –∆Е/k, b = ln D
0
.
2. Рассчитать и построить графики температурной зависимости
коэффициента диффузии в интервале температур от 300 К до точки
плавления:
а) быстродиффундирующих примесей:
– в кремнии: водорода, лития, железа, меди, галлия, золота, серы,
серебра, кислорода;
– в германии: лития, меди, серебра, золота, железа, кобальта,
висмута, мышьяка;
– в арсениде галлия: меди, серебра, железа, кобальта, марганца.
б) медленнодиффундирующих примесей:
– в кремнии: фосфора, мышьяка, олова, бора, алюминия, индия,
галлия;
– в германии: фосфора, мышьяка, олова, бора, алюминия, индия,
галлия;

Страницы