Составители:
Рубрика:
108
кристалла
датчика
,
как
правило
,
отличается
от
температуры
подложки
.
Отличие
температуры
подложки
и
резонатора
датчика
приводит
не
только
к
различию
коэффициентов
прилипания
молекул
испаряемого
вещества
,
но
и
к
различию
оптических
свойств
слоев
.
Для
некоторых
материалов
,
например
тугоплавких
окислов
,
эти
различия
незначительны
и
позволяют
вести
контроль
толщины
слоя
по
показаниям
кварцевого
датчика
.
Для
других
веществ
,
в
основном
диэлектриков
,
например
некоторых
фторидов
и
халькогенидов
металлов
,
не
практике
,
за
редким
исключением
,
не
удается
получать
воспроизводимые
результаты
,
так
как
расчет
структуры
оптического
покрытия
осуществляется
исходя
из
понятия
оптической
толщины
слоев
,
а
кварцевый
измеритель
толщин
позволяет
измерять
геометрическую
толщину
слоя
.
Кроме
этого
,
для
корректного
определения
толщины
пленки
не
достаточно
знать
только
плотность
осаждаемого
на
кристалл
слоя
.
Также
необходимо
учитывать
так
называемый
Z
–
фактор
,
который
отражает
волноводные
свойства
пленки
.
Для
различных
материалов
параметр
Z
различен
.
В
табл
. 2.2
приводятся
значения
плотности
и
Z
-
фактора
для
большинства
веществ
,
применяемых
для
изготовления
тонкопленочных
покрытий
.
Тем
не
менее
,
кварцевые
измерители
толщины
все
чаще
находят
применение
при
разработке
аппаратуры
для
контроля
процесса
вакуумного
осаждения
пленок
.
Развитие
микропроцессорной
техники
позволяет
полностью
автоматизировать
процесс
напыления
,
от
оператора
требуется
лишь
ввести
плотность
и
значение
Z-
фактора
слоя
перед
напылением
или
выбрать
материал
слоя
из
базы
данных
,
занесенной
в
память
контроллера
.
Таблица
2.2.
Значения
плотности
и
Z-
фактора
для
некоторых
веществ
Материал
ρ,
г/см
3
Z-
фактор
Материал
ρ,
г/см
3
Z-
фактор
Материал
ρ,
г/см
3
Z-
фактор
Ag
10.5 0.529
GaAs
5.31 1.59
S
2.07 2.29
AgBr
6.47 1.18
Fe
7.86 0.349
Se
4.82 0.864
AgCl
5.56 1.32
Hf
13.1 0.36
Si
2.32 0.712
Al
2.73 1.08
HfO2
9.63 1
Sn
7.3 0.724
Al2O3
3.97 1
Hg
13.46 0.74
SiO
2.13 0.87
Sb
6.62
0.768
Ge
5.35 0.516
SiO2
2.2 1.07
As
5.73 0.966
In
7.3 0.841
Ta
16.6 0.262
Au
19.3 0.381
InSb
5.76 0.769
Ta2O5
8.2 0.3
B
2.54 0.389
In2O3
7.18 1
Te
6.25 0.9
Ba
3.5 2.1
Ir
22.4 0.129
ThF4
6.32 1
Be
1.85 0.543
KCl
1.98 2.05
Ti
4.5 0.628
C (алмаз)
3.52 0.22
La
6.17 0.92
TiO
4.9 1
С (графит)
2.25 3.26
Li
0.53 5.9
TiO2
4.26 0.4
Ca
1.55 2.62
LiF
2.64 0.774
Tl
11.85
1.55
CaF2
3.18 0.775
Mg
1.74 1.61
Vi
9.8 0.79
Cd
8.64 0.682
MgF2
3 1
V
5.96 0.53
CdSe
5.81 1
Mn
7.2 0.377
Vi2O3
8.9 1
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 106
- 107
- 108
- 109
- 110
- …
- следующая ›
- последняя »
