Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 33 стр.

уменьшается с увеличением давления и расстояния катод-подложка.
      В общем случае зависимость скорости распыления от давления и
параметров может быть описана эмпирической формулой вида:
                                         B
                                   U⋅i 
                            Q = A⋅      ,
                                  d⋅P
где U - величина катодного падения потенциала;
i - ток разряда;
d - среднее расстояние между катодом и подложкой;
Р - давление газа;
А и В - эмпирические константы, зависящие от рода газа и материала
катода.


   3. Конденсация атомов на поверхности при катодном распылении
      Процесс конденсации при катодном распылении существенно
отличается от конденсации при термическом испарении. Так, при
катодном распылении отсутствует критическая температура конденсации,
и конденсация металлической пленки осуществляется практически при
любых плотностях пучка. Методом катодного распыления без охлаждения
подложки удается осадить такие металлы, которые при вакуумном
испарении конденсируются только при дополнительном охлаждении.
Энергия связи с подложкой при катодном распылении оказывается выше,
чем при термическом испарении. С другой стороны, недостатком при
получении пленок катодным распылением является присутствие рабочего
газа. Молекулы газа, активированные разрядом, адсорбируются в
напыленном слое, и пленка обычно содержит большое количество газа.
      И все-таки метод катодного распыления позволяет избежать многих
трудностей, возникающих при термическом испарении, и получать пленки
металлов с низкими температурами конденсации, пленки тугоплавких
металлов и соединений с контролируемыми свойствами.

                                  33