Технология материалов и изделий электронной техники. Кротова Г.Д - 8 стр.

ионной обработке происходит вследствие:
     1) десорбции загрязнений, происходящей под ударами ионов,
электронов и нейтральных частиц;
     2) фотодесорбции под действием ультрафиолетового излучения из
ионного источника или области тлеющего разряда;
     3) термодесорбции загрязнений из-за нагрева подложки падающими
частицами, а также рекомбинации на ее поверхности;
     4) реакции органических загрязнений с атомарным кислородом, в
результате    чего   образуются     газообразные   соединения,   которые
откачиваются вакуумной системой:
     5) изменения структуры и фазового состава поверхности под
действием быстрых частиц.
     Механизм 5) обуславливает активацию поверхности детали, которая
заключается в разрыве поверхностных связей, вследствие чего облегчается
процесс образования новых связей.
     В случае плазменной обработки главными механизмами очистки
являются 4) и 5). При обработке быстрыми ионами из автономного
источника превалируют механизмы 1), 4), 5).
     Наибольшее распространение на практике получила очистка в
тлеющем      разряде. Она   при   равенстве   площадей   обрабатываемых
поверхностей и электродов обеспечивает равномерную обработку всей
площади. Рабочая камера должна содержать два электрода ( в некоторых
случаях роль одного из электродов выполняет вакуумная камера), на
которые подается потенциал 500 В и выше. Иногда на электроды подается
переменное     напряжение. Электроды для       обработки, как    правило,
изготавливают из алюминия, так как при этом уменьшается вероятность
загрязнения поверхности подложки из-за малого значения коэффициента
распыления этого металла.
     В случае проводящей подложки эффективная очистка может быть

                                     8