Автоматизированный контроль аналоговых интегральных микросхем. Крылов В.П. - 40 стр.

40
    — два ребра графа равны между собой, если им соответствует
один и тот же набор инвариантов;
    — количество вершин с нулевой полустепенью исхода определяет
размерность графа;
    — проекции ребер графа на произвольно выбранную ось A - A
равны дисперсиям соответствующих факторов. Для краткости будем
в дальнейшем именовать граф, определенный таким образом, графом
погрешностей.
    Граф погрешностей может быть полным и приведенным. Поясним
вводимые термины на примере. Структура полного графа погрешно-
стей для n партий ИМС по три пластины, содержащих по четыре
тест-структуры из двух элементов Y1 и Y2 каждая, изображена на
рис. 3.1 слева от оси A - A, а на рис. 3.2 изображены структуры пол-
ного (слева от значений с.к.о.) и приведенного (справа от значений
с.к.о.) графов погрешностей технологического процесса изготовле-
ния тонкопленочных плат с резисторами.




Рис. 3.1. Структура (теоретическая) графа технологических погрешностей
                элементов полупроводниковых ИМС

   Величины в левой части уравнений (3.3) определяются с помо-
щью первичной статистической обработки массива результатов опе-
                     →
                     −
рационного контроля Y . Если существование факторов u, v1 , v2
обосновано с точки зрения сущности исследуемых явлений, то пра-