Автоматизированный контроль аналоговых интегральных микросхем. Крылов В.П. - 41 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВлГУ | Владимир

Составители: 

Рубрика: 

41
вомерна постановка задачи вероятностной идентификации (опреде-
ления моментов распределений) этих факторов при известных D(Y
1
),
D(Y
2
), cov(Y
1
, Y
2
) и т.д. решением системы уравнений (3.2).
Рис. 3.2. Структуры (экспериментальные) полного и приведенного графов
погрешностей изготовления тонкопленочных резисторов
Погрешность ∆(0 − 1.0) обусловлена групповым характером об-
работки партии. Погрешность ∆(1.0 − 1.1) характеризует влияние
общей пластины и операций, производимых отдельно с каждой пла-
стиной, а ∆(1.1 − 1.1.1) обусловлена наличием макронеоднород-
ных свойств пластины и отклонениями различных пространствен-
ных диаграмм процессов обработки от равномерных, приводящи-
ми к возникновению общих составляющих погрешностей для эле-
ментов тест-структуры. Характерные составляющие ∆(1.1.1−Y1) и
∆(1.1.1−Y2) отражают индивидуальность тест-элементов Y1 и Y2 в
пределах тест-структуры.
По сравнению с известным векторным представлением погреш-
ностей
11
предложенная графическая интерпретация отличается боль-
11
Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология ми-
кросхем (ГИС и БГИС). – М.: Сов. радио, 1980. —252 с.
                                                                        41
вомерна постановка задачи вероятностной идентификации (опреде-
ления моментов распределений) этих факторов при известных D(Y1 ),
D(Y2 ), cov(Y1 , Y2 ) и т.д. решением системы уравнений (3.2).




Рис. 3.2. Структуры (экспериментальные) полного и приведенного графов
         погрешностей изготовления тонкопленочных резисторов

   Погрешность ∆(0 − 1.0) обусловлена групповым характером об-
работки партии. Погрешность ∆(1.0 − 1.1) характеризует влияние
общей пластины и операций, производимых отдельно с каждой пла-
стиной, а ∆(1.1 − 1.1.1) обусловлена наличием макронеоднород-
ных свойств пластины и отклонениями различных пространствен-
ных диаграмм процессов обработки от равномерных, приводящи-
ми к возникновению общих составляющих погрешностей для эле-
ментов тест-структуры. Характерные составляющие ∆(1.1.1−Y1) и
∆(1.1.1−Y2) отражают индивидуальность тест-элементов Y1 и Y2 в
пределах тест-структуры.
   По сравнению с известным векторным представлением погреш-
ностей11 предложенная графическая интерпретация отличается боль-
  11
    Ермолаев Ю.П., Пономарев М.Ф., Крюков Ю.Г. Конструкции и технология ми-
кросхем (ГИС и БГИС). – М.: Сов. радио, 1980. —252 с.

Страницы