Теоретические основы электротехники. Решения типовых задач. Ч. 3: Основы теории электромагнитного поля. Купцов А.М. - 74 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТПУ | Томск

Составители: 

Рубрика: 

74
33
22
1 2 1 2
0 0 3
2
12
1 2 1 1 2 2
11
ln ln
22
rr
rr
r r r r
I I r
dr dr r
U E dr E dr
r r r r
.
Отсюда следует
12
0
3
2
21
12
2
ln ln
U
I
r
r
rr
.
Найденное значение тока
утечки позволяет построить гра-
фик изменения напряженностей
в слоях изоляции (рис. 3.6).
Напряжения на слоях изо-
ляции можно найти и методом
электростатической аналогии,
согласно которой
/.
a
GC
Это позволяет воспользоваться результа-
тами расчета емкости, приведенной в примере 2.35, и по аналогии запи-
сать проводимости конденсатора и каждого из слоев его изоляции:
и
3
2
1 1 2 2
2
11
/
ln ln
a
Cl
G
r
r
rr
;
1
1
2
1
2
ln
l
G
r
r
;
2
2
3
2
2
ln
l
G
r
r
.
При известном напряжении ток утечки конденсатора будет равен
и
3
2
1 1 2 2
2
11
ln ln
lU
I G U
r
r
rr
.
Этот ток одинаковый в обоих слоях, поэтому распределение на-
пряжения по слоям определяется по закону Ома:
2
2
1
11
3
2
21
12
ln
/
ln ln
r
U
r
U I G
r
r
rr
;
.
Подставляя числовые значения, находим
U
1
=583,5 В; U
2
=416,5 В.
0 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005
1.25 10
5
2.5 10
5
3.75 10
5
5 10
5
E r( )
r
Рис. 3.6

Страницы