ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
92
В строке 4 табл. 2.1.13 дана формула выделения параметра идеального
трансформатора. Эта формула получена путем последовательного применения
формул выделения источника напряжения, управляемого напряжением
(ИНУН), в соответствии со строкой 4 табл. 2.1.9 и
источника тока,
управляемого током (ИТУТ), согласно строке 6 табл. 2.1.9.
В строке 5 табл. 2.1.13 рассмотрена схемно-алгебраическая формула
выделения операционного
усилителя с конечными коэффициентом усиления
K
и выходным сопротивлением
Z
. Эта формула получена с помощью строк 1 и 4
табл. 2.1.9. Формулы для основных случаев включения идеального
операционного усилителя представлены в строке 6 табл. 2.1.13.
Строка 7 табл. 2.1.13 содержит схемно-алгебраическую формулу
выделения параметра
k
Z
конвертора сопротивления с преобразованием
напряжения (КСПН). Здесь же дана схема замещения КСПН. Для
доказательства выделим параметр ИНУН (см. строку 4 табл. 2.1.9) и умножим
полученное выражение на коэффициент конверсии
k
Z
с целью исключения
дробных выражений в числителе и знаменателе формируемых ССФ.
В строку 8 табл. 2.1.13 помещена формула выделения параметра
k
Z
конвертора сопротивления с преобразованием тока (КСПТ). Для вывода этой
формулы воспользуемся представленной здесь же схемой замещения. После
выделения параметра ИТУТ (см. строку 6 табл. 2.1.9) получаем искомую
формулу.
В строке 9 табл. 2.1.13 находится схемно-алгебраическая формула
выделения параметров идеального инвертора сопротивления. Коэффициент
инверсии
k
И
Z
=
1/(
y
12
y
21
). Вывод этой формулы выполняется путем выделения
параметров источников тока, управляемых напряжением (ИТУН),
y
12
и
y
21
в
соответствии со строкой 5 табл. 2.1.9.
Схемно-алгебраическая формула выделения параметра гиратора,
приведенная в строке 10 табл. 2.1.13, получается, если принять
y
12
=
y
21
=
g
, где
g
−
проводимость гирации.
В строке 11 табл. 2.1.13 представлена формула выделения
H
-параметров
низкочастотного биполярного транзистора. Эта формула выводится путем
выделения сопротивления
h
11
(см. строку 1 табл. 2.1.9), проводимости
h
22
(см.
строку 2 табл. 2.1.9) и параметров управляемых источников
h
21
и
h
12
(см. строки
4 и 6 табл. 2.1.9). Искомая формула получается после группировки слагаемых.
Схемно-алгебраическая формула выделения
Y-
параметров транзисторов
помещена в строку 12 табл. 2.1.13. Эта формула находится путем выделения
проводимостей
y
11
и
y
22
(см. строку 2 табл. 2.1.9) и параметров ИТУН
y
12
и
y
21
(см. строку 5 табл. 2.1.9) с последующим группированием слагаемых.
В строке 13 табл. 2.1.13 рассмотрена формула выделения
Z-
параметров
транзисторов. Эта формула получена на основе выделения сопротивлений z
11
и
z
22
(см. строку 1 табл. 2.1 .9) и параметров источников напряжения,
управляемых током z
12
и z
21
(см. строку 3 табл. 2.1.9) с последующим
группированием слагаемых.
До сих пор нами формировались САФ многополюсников с
сосредоточенными параметрами. Рассмотрим теперь цепи, содержащие
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 91
- 92
- 93
- 94
- 95
- …
- следующая ›
- последняя »
