Порошковая дифрактометрия в материаловедении. Часть II. Кузьмичева Г.М. - 22 стр.

                              -43-                                                                  -44-
  Если для ряда дифракционных отражений выполняется               зерен    одинаково     изменяются        данные    межплоскостные
условие β1/β2=cosθ2/cosθ1, то расширение дифракционного пика      расстояния. В этом отличие этого сдвига линий от аналогичных
обусловлено размерами кристаллитов.                               сдвигов, происходящих из-за теплового расширения, или из-за
  Значения L, найденные из линий с разными индексами,             изменений параметра ячейки, которые имеют место в твердых
могут различаться между собой при отклонении формы частиц         растворах с разной концентрацией одной из компонент.
от кубической, а также из-за одновременного влияния на              Микронапряжения, или напряжения II рода могут быть
ширину линии размеров кристаллитов и микронапряжений.             определены как напряжения, варьирующие в широких пределах
   1. Если блоки имеют различные размеры по разным                и беспорядочно как в отношении величины, так и в отношении
       направлениям, то для кристаллов кубической сингонии        направления, от зерна к зерну.
       их определить нельзя: каждая линия является суммой           Если      расширение          линии        обусловлено      только
       линий с различающим порядком hkl.                          микронапряжениями, то β=2(∆a/a)tgθ (6), где a, Å –параметр
   2. Если исследуемое вещество кристаллизуется не в              элементарной     ячейки,       ∆a,Å      –   изменение     параметра
       кубической     сингонии,   то    вычисление    размеров    элементарной         ячейки,          вызванное        присутствием
       кристаллитов    усложняется     (даже   при   отсутствии   микронапряжений, θ-дифракционный угол.
       микронапряжений).                                            Исследование проводят при больших углах θ, близких к 90°,
   2.2. Определение величины микронапряжений                      так как линии при этих углах будут более значительно
               (напряжения II рода).
  Под макронапряжениями, или напряжениями I рода                  расширяться в случае напряжений I или II рода.
понимаются упругие напряжения. В этом случае напряжения             Таким образом, если для ряда дифракционных отражений
меняются закономерно от кристалла к кристаллу и от точки к        выполняется      условие    β1/β2=tgθ1/tgθ2,      то     расширение
точке внутри данного кристалла.                                   дифракционного       пика   обусловлено        микронапряжениями.
  Наличие макронапряжений скажется лишь на сдвиге ряда            Отсюда следует, что расширение линий, вызванное малыми
дифракционных линий, т.е. на уменьшении или увеличении            размерами кристаллитов и микронапряжениями, по-разному
некоторых межплоскостных расстояний, так как не у всех            зависит от дифракционного угла.