ВУЗ:
Составители:
29
2
2
0
4
1
ai
U
ai
xd
к
lk
ai
W
ai
L
⎟
⎠
⎞
⎜
⎝
⎛
−⋅⋅
⋅⋅⋅
=
εε
γ
, (3.4)
где
x
– отклонение, совершаемое структурой микрозеркала в сторону откло-
няющего электрода.
Напряжения замыкания, при котором произойдет контакт структуры
микрозеркала и отклоняющего электрода, определяется следующим выражени-
ем:
ai
W
d
к
lk
ai
U
⋅⋅⋅
⋅⋅
⋅⋅=
0
3
max
3
4
*
εε
γ
. (3.5)
На рис. 3.5 представлена зависимость отклонения структуры микрозерка-
ла
x
от отклоняющего напряжения
ai
U
.
Срез зависимости отклонения структуры микрозеркала
x
от отклоняю-
щего напряжения
ai
U
(см. рис. 3.5) соответствует режиму замыкания структу-
ры микрозеркала и отклоняющего электрода.
В настоящее время разработано достаточно большое количество одно- и
двухосных микромеханических зеркал с электростатической активацией.
На рис. 3.6 – 3.7 представлены структуры интегральных микрозеркал с
электростатической активацией, получивших наиболее широкое распростране-
ние [9, 10].
Рис. 3.4. Модель движения структуры микрозеркала
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 27
- 28
- 29
- 30
- 31
- …
- следующая ›
- последняя »