ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
-41-
сопротивления металла в магнитном поле называются эффектом
Шубникова-де Гааза.
Экспериментальное наблюдение осцилляций играет важную роль,
так как это практически единственный метод получения информации о
виде поверхности Ферми, а не только о плотности электронных состояний.
Как правило, в металле со сложной поверхностью Ферми имеется
несколько экстремальных сечений при заданном направлении магнитного
поля. Каждое из них дает вклад в осцилляции. Таким образом, в
эксперименте наблюдают наложение нескольких осцилляций с
различными периодами. Дешифруя зависимость восприимчивости или
сопротивления от
B
1
, находят все значения
e
S . Изменяя направление поля
относительно кристаллографических осей монокристаллического образца,
исследуют различные экстремальные сечения поверхности Ферми. На
основании полученных данных восстанавливают вид поверхности Ферми,
что позволяет провести его сравнение с видом рассчитанной поверхности.
Простая картина осцилляций Шубникова-де Гааза, наблюдаемая в
легированном полупроводнике GaSb, у которого поверхность Ферми имеет
вид эллипсоида, приведена на
рис.10.
Рис.10. Осцилляции Шубникова - де Гааза в полупроводнике GaSb
С уменьшением
B амплитуда осцилляций экспоненциально убывает
из-за электронных столкновений и температурного размытия Ферми-
распределения.
-41-
сопротивления металла в магнитном поле называются эффектом
Шубникова-де Гааза.
Экспериментальное наблюдение осцилляций играет важную роль,
так как это практически единственный метод получения информации о
виде поверхности Ферми, а не только о плотности электронных состояний.
Как правило, в металле со сложной поверхностью Ферми имеется
несколько экстремальных сечений при заданном направлении магнитного
поля. Каждое из них дает вклад в осцилляции. Таким образом, в
эксперименте наблюдают наложение нескольких осцилляций с
различными периодами. Дешифруя зависимость восприимчивости или
1
сопротивления от , находят все значения S e . Изменяя направление поля
B
относительно кристаллографических осей монокристаллического образца,
исследуют различные экстремальные сечения поверхности Ферми. На
основании полученных данных восстанавливают вид поверхности Ферми,
что позволяет провести его сравнение с видом рассчитанной поверхности.
Простая картина осцилляций Шубникова-де Гааза, наблюдаемая в
легированном полупроводнике GaSb, у которого поверхность Ферми имеет
вид эллипсоида, приведена на рис.10.
Рис.10. Осцилляции Шубникова - де Гааза в полупроводнике GaSb
С уменьшением B амплитуда осцилляций экспоненциально убывает
из-за электронных столкновений и температурного размытия Ферми-
распределения.
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 39
- 40
- 41
- 42
- 43
- …
- следующая ›
- последняя »
