ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Поэтому обычно используют фоторезистивные слои с тол-
щиной не менее 0,7 ... 1 мкм. Характеризуя PC фоторезиста,
целесообразно указывать минимальные размеры воспроизво-
димых элементов при данной толщине пленки фоторезиста в
стабильных условиях экспонирования и проявления.
Светочувствительность — величина, обратная времени
экспонирования, требующегося для перевода фоторезиста в
нерастворимое (ФН) или растворимое (ФП) состояние.
Стойкость к воздействию агрессивных
факторов опреде-
ляется по числу дефектов в слое фоторезиста на единице пло-
щади после воздействия травителей на подложку
(щелочестойкость, кислотостойкость).
Адгезия фоторезиста к подложке определяет уход размеров
элементов в процессе проявления и подтравливания при
последующем формировании рельефа, характеризует
возможность применения определенного фоторезиста на данном
типе подложки.
Стабильность определяет воспроизводимость элементов
сильных размеров при использовании различных партий
фоторезиста и при различных сроках и условиях их хранения
2.2.6. Технологические операции процесса
фотолитографии
Создание элементов микросхем при помощи метода
фотолитографии осуществляется по технологической схеме,
приведенной выше. Основными операциями являются:
Нанесение фоторезиста
Для нанесения фоторезиста используются методы
пульверизации (распыление и электростатическое осаждение),
окунание пластины и центрифугирование. Выбор способа
нанесения фоторезистивного слоя производится в зависимости
от назначения слоя фоторезиста, его свойств и вязкости
фоторезиста.
Для удаления посторонних примесей фоторезист перед
нанесением фильтруется. Наибольшее распространение
получил метод центрифугирования — растекание фоторезиста
Экспонирование фотослоя
Экспонирование — это создание скрытого изображения в
пленке фоторезиста при помощи фотошаблона под действием
актиничного излучения.
Выбор источников облучения определяется спектральными
характеристиками фоторезиста. Область спектрального погло-
щения современных фоторезистов лежит в диапазоне длин волн
250 ... 480 нм. В связи с этим в качестве актиничных источников
применяются ртутно-кварцевые лампы ДРШ-250, ДРШ-500 с
освещенностью (30 ... 50)10
3
люкс с параллельным пучком лучей
и высокой равномерностью освещения. Экспонирование
производится через фотошаблон. Время экспонирования
определяется интенсивностью излучения и толщиной
фоторезистивного слоя и подбирается экспериментально.
При контроле с помощью микроскопа в случае
недоэкспонирования наблюдается размытость края фоторезиста,
а при переэкспонировании — двойной край (клин фоторезиста)
(рис. 2.3).
При использовании любого фоторезиста для
каждой партии
фоторезиста подбирают режим экспонирования и проявления.
Эти операция неразрывно связаны между собой. Поэтому
снимают характеристическую кривую точности передачи
точности размеров в зависимости от времени проявления при
постоянном
времени экспонирования и в зависимости от
времени экспонирования при постоянном времени проявления.
Время экспонирования считается оптимальным, если после
проявлении толщина рельефа фоторезиста составляет не менее
90% толщины нанесенного слоя. При правильном подборе вре-
мени экспонирования край изображения должен быть четким,а
рисунок фоторезиста должен геометрически соответствовать
рисунку фотошаблона.
Проявление рисунка в фоторезистивном слое
При проявления фоторезиста удаляются необлученные (для
26 31
