ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
Состав
Диоксан
ДМФ, МЦА,
МЭК
МЦА
Ксилол,
толуол
Проявитель
2% Na
3
PO
0.5 % KOH
Толуол, ТХЭ
Уайтепири
Минималь
ные
размеры
элементов
при
толщине
фоторезис
та 0.8 мкм
1
1.5
4
5
Толщи
на
пленки
, мкм
1.0±0.1
0.9±0.2
1.0
1.0...2.0
Характеристики
по ТУ
Разреш
ение,
лин/мм
400
400
300
200
Спектраль
ная
чувствите
льность,
нм
330…480
250…460
330…380
Назначение
Полупроводники, ИС,
металлические пленки
То же и окисные пленки
Полупроводники,
металлические пленки
Полупроводники, сталь
Марка
фоторезиста
ФП-383
ФП-РН-7
(6-14-1061-74)
ФН-5ТК
(6-14-252-77)
ФН-11
(6-14-631-77)
Выбор толщины фоторезиста осуществляют путем компро-
миссного решения, обеспечивающего получение заданной тол-
щины пленки с учетом равномерности слоя и минимального
числа «проколов» в нем.
Недостатки метода центрифугирования: наличие валика
фоторезиста на краях подложки, размеры которого зависят от
вязкости фоторезиста, скорости вращения и геометрии
пластины; наличие внутренних напряжений и проколов,
образующихся за
счет засасывания пылинок к центру
вращающейся пластины.
Для получения слоев фоторезиста толщиной ≥3 мкм
следует
использовать способ пульверизации или применять сухой или
пленочный фоторезист.
При двухсторонней фотолитографии наилучшим методом
является окунание подложки в жидкий фоторезист.
Сушка фоторезистивного слоя
Первая сушка фоторезиста проводится для удаления раст-
ворителя и окончательного формирования слоя фоторезиста, а
также для повышения адгезии к окисной или металлической
пленке. После сушки фoтocлoй не должен быть липким при
контакте с фотошаблоном и должен обеспечивать стойкость
фоторезиста в проявителе. Обычно процесс 1-й сушки проводят
в двух
стадиях. На первой стадии фоторезист подсушивается на
воздухе при комнатной температуре. На второй стадии
осуществляется «горячая» сушка термонагревом или
инфракрасным излучением. В процессе сушки в
фоторезистивном слое создаются внутренние напряжения,
поэтому сушку необходимо производить при постепенном
увеличении температуры, а распределение тепла по подложке
должно быть равномерным. От этой операции зависят
время
экспонирования и точность передачи размеров.
Взаимосвязь температуры сушки и времени экспонирования
показана на рис. 2.4
.
Как следует из графика изменение температуры в области 1
вызывает значительное изменение времени экспозиции; при
сушке в области
2 оптимальных температур время экспозиции
изменяется меньше.
28 29
Основные па
р
амет
р
ы жи
д
ких
ф
ото
р
езистов
[
7
]
Таблица 2.3
Примечание. МЦА – метилцеллозольвацетат, ТХЭ – трихлорэтилен, ФФС –
фенолформальдегидные смолы; ДМФ – диметилформамид, МЭК – метилэтилкетон, ДЭК –
диэтилкетон, ПВЦ – поливинилциннамат; НХД – нафтохинондиазид.
