ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
под действием центробежных сил. Обработанную (хорошо
смачивающуюся фоторезистом) подложку помещают на столик
центрифуги и подают на нее порцию фоторезиста из дозатора.
Пластина укрепляется на столике центрифуги с помощью
механических фиксаторов или с помощью вакуумного присоса.
Скорость вращения центрифуги 1000...6000 об/мин, время
центрифугирования 20 ... 30 с.
Этим способом целесообразно наносить фоторезистивные
слои толщиной до
2 мкм. Толщину слоя фоторезиста выбирают
из условий, обеспечивающих наименьшее количество дефектов
и наибольшую разрешающую, способность. Более толстые слои
фоторезиста содержат меньше «проколов», но при этом их
разрешающая способность уменьшается.
Возможно двухкратное нанесение фоторезиста с
промежуточной подсушкой нанесенного слоя. В результате
подрастворения первого слоя повторное нанесение не
обеспечивает удвоения толщины фоторезиста (
так, для
фоторезиста ФП-383 один слой ~ 0,8 мкм; два слоя ~ 1,2 мкм).
Толщина пленки фоторезиста
δ
фр
связана с кинематической
вязкостью фоторезиста и с угловой скоростью вращения
центрифуги ω следующим выражением:
ωνδ
/
0
k
фр
= ,
где к
0
— коэффициент, учитывающий концентрацию
фоторезиста.
В процессе хранения вязкость фоторезистов изменяется.
Поэтому скорость вращения центрифуги выбирают в зависи-
мости от величины вязкости фоторезиста, измеренной перед его
нанесением.
Толщина и равномерность фоторезистивного слоя зависит
от скорости центрифугирования. При скоростях центрифуги-
рования менее 2000 об/мин разброс по толщине достигает ±10%.
При больших скоростях (4000 ... 5000 об/
мин) получают более
тонкие пленки фоторезиста с разбросом по толщине не выше ±
2%.
Рис.2.4
Режим сушки должен отвечать следующим основным тре-
бованиям:
- растворитель должен удаляться без нарушения
резистивного слоя;
- для лучшей адгезии температура сушки должна прибли-
жаться к температуре оплавления пленкообразующего агента
фоторезиста;
- сушка не должна приводить к термической сшивке поли-
мерной основы, что может вызвать сложность экспонирования и
увеличение времени
проявления фоторезиста;
- время сушки при выбранной температуре ограничено
стойкостью светочувствительной составляющей фоторезиста.
Сушка осуществляется в среде защищенной от пыли и
актиничного излучения. Для каждого фоторезиста существуют
определенные температурные режимы сушки (табл. 2.4).
Кроме термической сушки для жидких фоторезистов ис-
пользуют инфракрасную сушку, при температуре 120...130°С.
Это позволяет сформировать фотослой за 2...3 мин.
Применение
СВЧ - печей для сушки фоторезиста уменьшает время сушки до
2 ... 3 с, сокращая также время экспонирования и проявления
фоторезистивного слоя.
27 30
