ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
В случае позитивного фоторезиста в облучаемых участках
происходит реакция фотолиза (разложения) с образованием
веществ, растворимых в проявителе. В результате, проявления
на подложке остается рельефное изображение необлученного
фоторезиста (рис. 2.3,
б)
Фоторезисты являются композиционными органическими
фоточувствительными веществами.
В состав фоторезистов входят следующие компоненты:
светочувствительные составляющие, пленкообразующие про-
дукты и растворители.
Позитивные фоторезисты (типы ФП) изготавливаются на
основе светочувствительных соединении нафтохинондиазидов
(НХД).
Негативные фоторезисты (типа ФН) можно разбить на три
группы:
1) на основе эфиров коричной кислоты и поливинилового
спирта — поливинил - циннаматы (ПВЦ
) (ФН-5ТК и ФН-4ТВ с
добавкой оптического сенсибилизатора);
2) на основе циклокаучуков с добавкой сшивающего сен-
сибилизатора (ФН-11);
3) на основе фотополимеризующихся композиций
(акриловые или стирольные сополимеры) с добавкой
инициатора полимеризации (ФСТ, ФПК-4В).
Характеристики и составы ряда отечественных фоторезис-
тов приведены в табл. 2.3.
Фоторезисты характеризуются следующими параметрами:
разрешающей способностью
, светочувствительностью, стой-
костью к воздействию агрессивных факторов, адгезией и ста-
бильностью [2].
Разрешающая способность (PC) — число полос из фото-
резиста, разделенных промежутками такой же ширины на длине
1 мм (число линий на мм). PC зависит от толщины
фоторезистивного слоя и применяемого фотолитографического
оборудования. При толщине слоя позитивных фоторезистов 0,2.
. . 0,3 мкм достигается предельная PC 1000 ... 2000 лин./мм.
Однако такой толщины пленки фоторезиста нельзя получить с
малой дефектностью.
негативных фоторезистов) и облученные (для позитивных
фоторезистов) участки в соответствующих растворах или парах
проявителя. Составы проявителей и режимы проявления
некоторых фоторезистов указаны в табл. 2.4.
Время проявления фотослоя зависит от его толщины. Слой
фоторезиста обрабатывают в неподвижной ванне или в ванне
при движении проявителя (струйное проявление).
После проявления подложки промывают и сушат
на цен-
трифуге или в потоке очищенного воздуха.
Задубливание фоторезистивного слоя
Эта операция производиться для повышения адгезии
фоторезиста к пластине, а также для повышения стойкости
фоторезистивной маски к агрессивным травителям. Режимы
задубливания приведены в таб. 2.4. В роцессе задубливания
удаляется проявитель и осуществляется дополнительная
полимерезация слоя фоторезиста. От температуры, характера ее
изменения и времени задубливания зависит точность передачи
размеров элементов.
Во избежание оплывания краев
фоторезистивного слоя необходимо использовать плавное или
ступенчатое повышение температуры. Ограничивающим
фактором является трудность удаления задубленного
фоторезиста. Задубливание может осуществляться обработкой
ИК - лучами или в СВЧ - сушильных печах.
Локальное травление
Способ, состав среды и режим травления выбирают в
зависимости от профилируемого материала (пленки
термической двуокиси кремния, алюминия и др. металлов) и
требований к точности воспроизведения геометрии
топологического рисунка. Составы травителей и режимы
травления излучаются в лабораторном практикуме по физико-
химическим основам технологии РЭА.
Снятие фоторезистивного слоя
Применяют два способа снятия: мокрый (жидкий) и сухой
(плазмохимический). В первом случае фотослой удаляется в
25 32
