Технологические процессы микроэлектроники. Наумченко А.С - 24 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ТТИ ЮФУ | Таганрог

Составители: 

Рубрика: 

минимуму зазор между фотошаблоном и подложкой. В данном
случае усложняется конструкция устройств совмещения гибкого
фотошаблона с образцом, повышаются требования к
поверхности подложки и требуется более высокая
обеспыленность
среды по сравнению с обычной
фотолитографией [3].
Таблица 2.2
Параметры установок контактного совмещения и
экспонирования с визуальным контролем [4]
Модель, фирма-изготовитель
Параметры
ЭМ-576
СССР
СА-
280
ОН
США
I и В
2180
VEB,
ГДР
PLA-
520A
CANON
Япония
PLA-500A
CANON
Япония
Погрешность
совмещения
элементов
фотошаблона и
подложки, мкм.
Размер
минимального
элемента
изображения на
подложке, мкм
Диаметр подложки,
мм
Производительность,
шт/ч
0.5
2
До 100
160
0.5
1
До 100
0.3
1
До 76
130 …150
0.2
0.5
До 100
90 … 100
0.75
3
До 125
100
2.2.5. Фоторезисты
Под действием актиничного излучения в фоторезисте про-
исходят фотохимические процессы, которые могут привести к
уменьшению растворимости экспонированной области (нега-
тивные фоторезисты) или к повышению растворимости экс-
понированной области (позитивные фоторезисты).
В облучаемых участках негативного фоторезиста протекает
реакция фотополимеризации или инициированной сшивки
линейных полимеров [2]. После проявления на подложке
остается рельефное изображение
из облученного фоторезиста
(рис. 2.3, а), обладающего защитными свойствам.
t, мин
30
15
20
20
Задубливание
фоторезистивного слоя
Т
0
, С
100
120…150
20…25 и
100
Состав растворов и режимы проявления
Раствор толуола (1 ч) и кислота (1 ч) при
комнатной температуре, в течении 110…120 с
Раствор натрия фосфорно-кислого
трехзамещенного при комнатной температуре, в
течении 40…50 с
Раствор гидрата окиси калия (500 г) в воде (100
мл) при комнатной температуре, в течение
30…50 с
Время
экспониро
вания
(лампа
ДРШ-
250), С
5
40…50
15…20
t, мин
10…30
10
15, 30
20
15
Сушка
фоторезистивного
слоя
Т
0
, С
100
20…25 и
100 или 85
20…25 и
100
Скорость
вращения
центрифуг
и
, об/мин
1000
2000
2000
Тип
фоторезиста
Негативгныей
ФН-11
Позититвныей
ФП-383
ФПРН-7
24 33
Основные режимы обработки фоторезистов
Таблица 2.4

Страницы