ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
а б
Рис. 2.3
Схематическое изображение рельефа для негативного (а) и
иозитивного (б) фоторезистов приведено на рис 2.3, где 1 –
оптимальное время экспонирования; 2 – недостаточное время
экспонирования; 3 – завышенное время экспонирования.
2.2.3. Схема технологического процесса фотолитографии
При проведении нескольких последовательных процессов
фотолитографии для совмещения элементов рисунка на
фотошаблоне с рисунком на поверхности подложки используют
реперные знаки совмещения, представляющие собой
вписывающиеся друг в друга фигуры. Качество применяемых
фотошаблонов во многом определяет качество фотолитографии.
На схеме приведены основные операции процесса
фотолитографии.
окисла, свидетельствует либо о грубых нарушениях технологии,
либо о критичности фотолитографического процесса.
Недостаточная кислостойкость фоторезиста, низкое ка-
чество шаблонов, плохая адгезия фоторезиста к подложкам,
небольшие, отклонения в технологии приводят к серьезному
ухудшению результатов. Из нарушений процесса фотолито-
графии, вызывающих растравливание, наиболее вероятны:
пересушка, приводящая к разрушению слоя, и перетравливание.
Основные типы
фотолитографических дефектов, видов
брака с указанием возможных причин возникновения представ-
лены в табл. 2.5.
2.3. ЛАБОРАТОРНОЕ ЗАДАНИЕ
1. Получить у лаборанта фотошаблон и 3 кремниевых под-
ложки, нанести позитивный фоторезист центрифугированием
при разных скоростях вращения.
2. Выполнить последовательно все операции
фотолитографии. Получить рисунки рабочего слоя. Сравнить
полученные результаты.
2.4 Оборудование и материалы
1. Центрифуга
2. Термошкафы
3. Установка совмещения и экспонирования
4. Вытяжной шкаф
5. Фоторезист ФП – 383
6. Растворы для проявления и снятия фоторезиста
22 35
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 20
- 21
- 22
- 23
- 24
- …
- следующая ›
- последняя »
