ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
§6. Квазистационарные токи
108
При вычислении сопротивления участка проводящей среды часто
полезно представить его в виде последовательного или параллельного
соединения участков более простой формы. При этом следует помнить, что
при последовательном соединении сопротивления участков складываются, а
при параллельном – складываются их проводимости.
Для более сложных расчетов используют теорию электрических цепей.
Пример 6.1. Найдите сопротивление слоя слабо проводящей среды с
проводимостью
λ
, расположенной между двумя хорошо проводящими
концентрическими сферами радиусов
1
R и
2
R .
Решение.
Создадим между сферами разность потенциалов U . Распределение
проводников обладает сферической симметрией, поэтому плотность тока j
направлена по радиусу и зависит только от
r
. Рассмотрим сферу
произвольного радиуса
r
и найдем ток, протекающий через нее
(
)
rjrdSjI
2
4
π
==
∫
.
По закону Ома
jE
λ
1
=
. Выражая плотность тока через
I
, находим
λπ
2
4 r
I
E =
. Теперь нетрудно выразить через параметры задачи разность
потенциалов между сферами
∫
−==
2
1
21
11
4
R
R
RR
I
EdrU
πλ
.
Откуда сопротивление слоя
21
12
4 RR
RR
I
U
R
πλ
−
==
.
В случае тонкого слоя толщиной
2,112
RRRd
<<
−
=
его
сопротивление будет равно
108 §6. Квазистационарные токи При вычислении сопротивления участка проводящей среды часто полезно представить его в виде последовательного или параллельного соединения участков более простой формы. При этом следует помнить, что при последовательном соединении сопротивления участков складываются, а при параллельном – складываются их проводимости. Для более сложных расчетов используют теорию электрических цепей. Пример 6.1. Найдите сопротивление слоя слабо проводящей среды с проводимостью λ , расположенной между двумя хорошо проводящими концентрическими сферами радиусов R1 и R2 . Решение. Создадим между сферами разность потенциалов U . Распределение проводников обладает сферической симметрией, поэтому плотность тока j направлена по радиусу и зависит только от r . Рассмотрим сферу произвольного радиуса r и найдем ток, протекающий через нее I= ∫ j dS = 4πr 2 j (r ) . 1 По закону Ома E = j . Выражая плотность тока через I , находим λ I E= . Теперь нетрудно выразить через параметры задачи разность 4πr 2 λ потенциалов между сферами R2 I 1 1 U = ∫ Edr = 4πλ R1 − R2 . R1 Откуда сопротивление слоя U R − R1 R= = 2 . I 4πλR1 R2 В случае тонкого слоя толщиной d = R2 − R1 << R1, 2 его сопротивление будет равно
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 106
- 107
- 108
- 109
- 110
- …
- следующая ›
- последняя »