ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
§14. Задачи повышенной трудности
263
Здесь −mgl изменение потенциальной энергии пластины при ее перемещении
от крайнего верхнего до крайнего нижнего положения внутри конденсатора, а
0
2
0
2C
q
E = -- энергия конденсатора в отсутствии пластинки.
Если же lx >
0
, то пластина выпадет из конденсатора и далее будет
свободно падать с ускорением свободного падения.
Пример 14.3.
Проводящая сфера радиусом
R
составлена из двух полусфер.
Определите силу
F
, с которой отталкиваются эти полусферы, если полный
заряд сферы равен
Q
.
Решение.
Выделим на сфере небольшой участок площадью dS , несущий заряд
dq
. Поле в окрестности этого заряда складывается из поля, создаваемого
самим зарядом
dq
, и поля, создаваемого остальными зарядами на сфере.
Суммарное поле равномерно заряженной сферы внутри сферы равно нулю, а
снаружи
0
2
0
4
ε
σ
πε
==
R
Q
E . Вблизи поверхности
площадки dS поле, создаваемое зарядом dq ,
можно аппроксимировать полем бесконечной
плоскости, напряженность которого
0
2
ε
σ
=
′
E .
Следовательно поле, создаваемое зарядами,
расположенными на сфере, за исключением
dq
является однородным и равно
0
2
ε
σ
, как показано
на рис.14.3. Это поле действует на заряд
dq
с
Рис.14.3
§14. Задачи повышенной трудности 263
Здесь mgl − изменение потенциальной энергии пластины при ее перемещении
от крайнего верхнего до крайнего нижнего положения внутри конденсатора, а
q2
E0 = -- энергия конденсатора в отсутствии пластинки.
2C 0
Если же x0 > l , то пластина выпадет из конденсатора и далее будет
свободно падать с ускорением свободного падения.
Пример 14.3. Проводящая сфера радиусом R составлена из двух полусфер.
Определите силу F , с которой отталкиваются эти полусферы, если полный
заряд сферы равен Q .
Решение. Выделим на сфере небольшой участок площадью dS , несущий заряд
dq . Поле в окрестности этого заряда складывается из поля, создаваемого
самим зарядом dq , и поля, создаваемого остальными зарядами на сфере.
Суммарное поле равномерно заряженной сферы внутри сферы равно нулю, а
Q σ
снаружи E = 2
= . Вблизи поверхности
4πε 0 R ε0
площадки dS поле, создаваемое зарядом dq ,
можно аппроксимировать полем бесконечной
σ
плоскости, напряженность которого E′ = .
2ε 0
Следовательно поле, создаваемое зарядами,
расположенными на сфере, за исключением dq
σ
является однородным и равно , как показано
2ε 0
Рис.14.3
на рис.14.3. Это поле действует на заряд dq с
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 261
- 262
- 263
- 264
- 265
- …
- следующая ›
- последняя »
