ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
§4. Уравнения электростатики
65
65
Пример 4.3. Точечный заряд
q
расположен на расстоянии h от бесконечной
проводящей заземленной плоскости. Найдите силу
F
, действующую на
заряд, и поверхностную плотность
σ
индуцированного на плоскости заряда.
Решение.
Воспользуемся методом электростатических изображений. В
качестве области V , в которой поля заданной и модельной конфигураций
зарядов будут совпадать, выберем полупространство 0
>
z , где ось
z0 направим перпендикулярно плоскости проводника через заряд
q
(см.
рис.4.1а), а на плоскости выберем полярную систему координат (
ψ
ρ
,
). Так
как поле точечного заряда убывает с возрастанием расстояния от него, то
модуль плотности заряда, индуцированного им на плоскости, будет убывать
с ростом
ρ
.
Уберем плоскость с наведенным на ней зарядом и подберем вне V
(в полупространстве 0
<
z ) систему зарядов такую, чтобы потенциал
плоскости был равен нулю. Нетрудно убедиться в том, что поместив заряд
q
−
в точку на оси z0 с координатой hz
−
=
(отражение заряда
q
плоскостью 0
=
z ), получим, что потенциал плоскости симметрии 0
=
z
равен нулю (см. рис.4.1б). Следовательно, поле
1
E исходной задачи для
0
>
z эквивалентно полю
2
E , создаваемому зарядом
q
и отраженным
зарядом
q
−
.
С учетом сказанного сила взаимодействия заряда
q
с плоскостью
равна силе взаимодействия между зарядом
q
и его «отражением»
q
−
:
2
0
2
16 h
q
F
πε
= и является силой притяжения, а потенциал поля в
произвольной точке области V
( ) ( )
2
2
0
2
2
0
21
44 zh
q
zh
q
++
−
−+
==
ρπερπε
ϕϕ
.
Для определения поверхностной плотности наведенного на
плоскости заряда воспользуемся граничными условиями (4.7) и связью
между потенциалом и напряженностью поля (4.4):
§4. Уравнения электростатики 65 Пример 4.3. Точечный заряд q расположен на расстоянии h от бесконечной проводящей заземленной плоскости. Найдите силу F , действующую на заряд, и поверхностную плотность σ индуцированного на плоскости заряда. Решение. Воспользуемся методом электростатических изображений. В качестве области V , в которой поля заданной и модельной конфигураций зарядов будут совпадать, выберем полупространство z > 0 , где ось 0 z направим перпендикулярно плоскости проводника через заряд q (см. рис.4.1а), а на плоскости выберем полярную систему координат ( ρ ,ψ ). Так как поле точечного заряда убывает с возрастанием расстояния от него, то модуль плотности заряда, индуцированного им на плоскости, будет убывать с ростом ρ . Уберем плоскость с наведенным на ней зарядом и подберем вне V (в полупространстве z < 0 ) систему зарядов такую, чтобы потенциал плоскости был равен нулю. Нетрудно убедиться в том, что поместив заряд −q в точку на оси 0 z с координатой z = −h (отражение заряда q плоскостью z = 0 ), получим, что потенциал плоскости симметрии z = 0 равен нулю (см. рис.4.1б). Следовательно, поле E1 исходной задачи для z > 0 эквивалентно полю E 2 , создаваемому зарядом q и отраженным зарядом −q . С учетом сказанного сила взаимодействия заряда q с плоскостью равна силе взаимодействия между зарядом q и его «отражением» −q : q2 F= и является силой притяжения, а потенциал поля в 16πε 0 h 2 произвольной точке области V q q ϕ1 = ϕ 2 = − . 4πε 0 ρ 2 + (h − z )2 4πε 0 ρ 2 + (h + z )2 Для определения поверхностной плотности наведенного на плоскости заряда воспользуемся граничными условиями (4.7) и связью между потенциалом и напряженностью поля (4.4): 65
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 63
- 64
- 65
- 66
- 67
- …
- следующая ›
- последняя »