Определение размеров металлических наночастиц из спектров плазмонного резонанса. Парфенов В.В - 10 стр.

     Таким образом, вид спектра поглощения – его амплитуда и
полуширина будут зависеть от размера частиц и коэффициента заполнения
ими матрицы.
     Для вычисления коэффициента заполнения  – одного из важнейших
параметров в теории Ми, можно воспользоваться выражением (12), а также
связью между коэффициентом поглощения и оптическим пропусканием
                                     1  I0 
                                    ln   ,                         (16)
                                     d I 
где d – толщина слоя, I0 – интенсивность падающего пучка, I – интенсивность
пучка, прошедшего сквозь слой толщиной d.



2. Синтез металлических наночастиц при ионной имплантации

2.1 Ионная имплантация

     Ионная имплантация – способ введения в твердотельную матрицу
ускоренных в электростатическом поле ионизированных атомов или молекул
с энергией от нескольких килоэлектронвольт до гигаэлектронвольт. Этот
метод широко используется на практике для легирования полупроводников с
целью создания p-n переходов, гетеропереходов, низкоомных контактов и
т.д. Относительно недавно метод ионной имплантации нашел свое
применение     для   синтеза    МНЧ     в   различных     диэлектрических     и
полупроводниковых матрицах.
     Установка для ионной имплантации состоит из источника ионов,
ускорительной    части,   и    вакуумной    камеры,   в   которой   находится
бомбардируемый образец (рис. 2). Ионы имплантируемого материала
разгоняются в электростатическом ускорителе и бомбардируют затем
образец. Глубина проникновения ионов в образец зависит от их энергии и
составляет от нескольких нанометров до нескольких микрометров.




                                                                              10