Определение размеров металлических наночастиц из спектров плазмонного резонанса. Парфенов В.В - 11 стр.

              Рисунок 2. Принципиальная схема ионного ускорителя.


     Так как распределение имплантированных ионов неравномерно по
толщине, то, очевидно, следует говорить о какой-то «эффективной толщине»
слоя [4]. Для ионов серебра, имплантированных в стеклянную матрицу при
указанных дозах и энергиях имплантации, в качестве эффективной толщины
слоя d можно выбрать полуширину гауссова профиля распределения
легирующих примесей, составляющую 30 нм (3∙10-8 м).
     Технология    ионной    имплантации      позволяет    внедрить   заданное
количество ионизированных атомов практически любого химического
элемента на заданную глубину, легируя одно вещество другим в пропорциях,
которые невозможно достичь другими методами даже при использовании
высоких   температур.   Можно     создавать композиционные системы           с
уникальными структурами и свойствами, существенно отличающимися от
свойств основной матрицы.
     Сталкиваясь с электронами и ядрами мишени, ускоренные ионы
легирующего вещества теряют энергию и останавливаются на некоторой
глубине. Если известны тип и энергия ионов и свойства обрабатываемого

                                                                            11