Определение размеров металлических наночастиц из спектров плазмонного резонанса. Парфенов В.В - 13 стр.

и столкновений с ядрами атомов, что приводит к появлению радиационных
дефектов, которые, в свою очередь, могут стимулировать обратимые и
необратимые изменения структуры материала. В случае высокодозовой
имплантации регистрируются различные типы структурных радиационных
нарушений, такие как протяженные и точечные дефекты, аморфизация и
локальная    кристаллизация,         формирование   новой   фазы    из   атомов,
составляющих структуру материала или внедренных ионов и т.д. [5]. Кроме
того,    ионная        имплантация     может   сопровождаться      эффективным
распылением атомов поверхности облучаемого материала.




    Рисунок 3. Схема основных физических стадий формирования наночастиц из
    имплантируемой примеси в облучаемой матрице (в поперечном сечении) в
    зависимости от ионной дозы. Рассматривается случай эффективного
    распыления поверхности при ее облучении.


        Главной отличительной особенностью низкоэнергетической ионной
имплантации       от    высокоэнергетической    является    различная    глубина
проникновения имплантированных ионов в облучаемую матрицу. Данное
обстоятельство определяет функцию распределения ионно-синтезированных
МНЧ по глубине образца. В случае имплантации при низких энергиях, более
крупные частицы располагаются непосредственно вблизи поверхности, а
мелкие простираются вглубь образца. Однако, при высокоэнергетической
имплантации, МНЧ распределены в намного более толстом слое образца, и
при этом более крупные частицы залегают глубже мелких.

                                                                              13