Определение размеров металлических наночастиц из спектров плазмонного резонанса. Парфенов В.В - 12 стр.

UptoLike

12
материала, то глубина проникновения (или длина пробега) может быть
вычислена. Для пучков с типичными энергиями от 10 до 500 кэВ величина
пробега достигает одного микрометра. Как уже указывалось, вследствие
влияния большого числа факторов функция распределения внедренного
вещества вглубь образца от поверхности близка по форме гауссову
распределению. Внедрение ионов в матрицу облучаемого материала
приводит к появлению различных радиационных дефектов. Например,
выбитые из узлов решетки атомы вещества приводят к образованию
вакансий и дефектов структуры в виде внедренных междоузельных атомов.
Скопление таких дефектов образует дислокации и целые дислокационные
скопления.
2.2. Приготовление лабораторных образцов с наночастицами серебра
Метод ионной имплантации является одним из эффективных
технологических способов введения одиночной примеси в
приповерхностную область материала на глубину до нескольких
микрометров. Степень модификации материала обуславливается его
индивидуальными особенностями, а также совокупностью параметров
имплантации, таких как тип внедряемого иона, его энергия, плотность тока в
ионном пучке, температура мишени и др. Одним из доминирующих
параметров ионной имплантации является ионная доза F
0
, определяющая
количество вводимой примеси. В зависимости от величины F
0
, по степени
модификации облучаемых диэлектриков и полупроводников, ионную
имплантацию можно условно подразделить на две области: низкодозовую и
высокодозовую (рис. 3). В случае низкодозовой ионной имплантации
(F
0
< 5·10
14
ион/см
2
) внедренные ионы после торможения и потери энергии
оказываются диспергированными в объеме матрицы и достаточно хорошо
изолированными друг от друга. Передача энергии от примесных ионов
матрице происходит за счет возбуждений электронных оболочек (ионизации)
материала, то глубина проникновения (или длина пробега) может быть
вычислена. Для пучков с типичными энергиями от 10 до 500 кэВ величина
пробега достигает одного микрометра. Как уже указывалось, вследствие
влияния большого числа факторов функция распределения внедренного
вещества вглубь образца от поверхности близка по форме гауссову
распределению. Внедрение ионов в матрицу облучаемого материала
приводит к появлению различных радиационных дефектов. Например,
выбитые из узлов решетки атомы вещества приводят к образованию
вакансий и дефектов структуры в виде внедренных междоузельных атомов.
Скопление таких дефектов образует дислокации и целые дислокационные
скопления.



2.2. Приготовление лабораторных образцов с наночастицами серебра

     Метод     ионной     имплантации   является     одним     из    эффективных
технологических     способов      введения         одиночной         примеси    в
приповерхностную    область     материала     на    глубину     до     нескольких
микрометров.    Степень    модификации      материала   обуславливается        его
индивидуальными особенностями, а также совокупностью параметров
имплантации, таких как тип внедряемого иона, его энергия, плотность тока в
ионном пучке, температура мишени и др. Одним из доминирующих
параметров ионной имплантации является ионная доза F0, определяющая
количество вводимой примеси. В зависимости от величины F0, по степени
модификации облучаемых диэлектриков и полупроводников, ионную
имплантацию можно условно подразделить на две области: низкодозовую и
высокодозовую (рис. 3). В случае низкодозовой ионной имплантации
(F0 < 5·1014 ион/см2) внедренные ионы после торможения и потери энергии
оказываются диспергированными в объеме матрицы и достаточно хорошо
изолированными друг от друга. Передача энергии от примесных ионов
матрице происходит за счет возбуждений электронных оболочек (ионизации)

                                                                                12