ВУЗ:
Составители:
Рубрика:
9
aa
N
4
N
π
=
*
, получим следующие выражения для составляющих поля от всего
заряженного слоя акцепторов:
xd
xx
yl5.0
arctg
xx
yl5.0
arctge
2
qN
E
aa
x
x
Dt2
x
0
a
ax
0
1
2
′
′
−
−
+
′
−
+
−=
∫
′
−
πεε
, (1.14)
xd
)xx()yl5.0(
)xx()yl5.0(
lne5.0
2
qN
E
22
a
22
a
x
x
Dt2
x
0
a
ay
0
1
2
′
′
−+−
′
−++
−=
∫
′
−
πεε
. (1.15)
Аналогично можно получить формулы и для составляющих поля от
слоя доноров толщиной (x
2
-x
0
), учитывая, что концентрация примеси N
d
постоянна , получим:
xd
xx
yl5.0
arctg
xx
yl5.0
arctg
2
qN
E
2
0
x
x
aa
0
d
dx
′
−
′
−
+
−
′
+
−=
∫
πεε
, (1.16)
xd
)xx()yl5.0(
)xx()yl5.0(
ln5.0
2
qN
E
2
0
x
x
22
a
22
a
0
d
ay
′
−
′
+−
−
′
+
+
−=
∫
πεε
. (1.17)
1.3. Вывод формул для расчета электрического поля от боковой части
планарного p-n перехода
Рассмотрим боковую часть планарного p-n перехода , заряженную
полностью ионизированной акцепторной примесью (рис. 3), и рассчитаем
составляющие поля от этого слоя. Расчеты показывают, что боковые стенки
планарного p-n перехода можно приближенно заменить ¼ - ой цилиндра. Для
определения поля в т. А (x,y) от цилиндрической части p-n перехода разбиваем
этот слой толщиной (y
0
-y
1
) на yyym
10
∆
/)(
−
=
тонких подслоев толщиной
y
∆
. Каждый подслой разбиваем на цилиндры с радиусом основания
2
/
y
R
∆
=
. Полное количество цилиндров в подслое
)()( R4Rrn
ii
+
=
π
.
Выбираем произвольный подслой с радиусом центральной части r
i
+R/2 и
рассчитываем составляющие поля от этого подслоя. Составляющие поля от
первого цилиндра этого подслоя:
4
N a* = N a , по лучи м сле дую щ и е выр а ж е ни я для со ста вляю щ и х по ля о твсе го
π
за р яж е нно го сло я а кце пто р о в:
x′
x0 2
− 0.5 l a + y 0.5la − y
∫
qN a
=− ′
arctg x − x ′ + arctg x − x ′ dx ,
2 Dt
Ex a e (1.14)
2εε 0π x1
x′
x0 2
− ( 0.5 l a + y ) 2 + ( x − x ′ ) 2
∫
qN a
Ey a =− 0.5 e 2 Dt
ln dx ′ . (1.15)
2εε 0π x
( 0.5la − y )2 + ( x − x ′ )2
1
А на ло ги чно мо ж но по лучи ть фо р мулы и для со ста вляю щ и х по ля о т
сло я до но р о в то лщ и но й (x2-x0), учи тыва я, что ко нце нтр а ци я пр и ме си Nd
по сто янна , по лучи м:
qN d x 2
0.5l a + y 0.5l a − y
Ex d = − ∫ arctg + arctg dx ′ , (1.16)
2εε 0π x
0
x′ − x x′ − x
qN d x
( 0.5l a + y ) 2 + ( x ′ − x ) 2
2
Ey a = − 0.5 ∫ ln dx ′ . (1.17)
2εε 0π x ( 0.5l a − y )2 + ( x′ − x ) 2
0
1.3. В ы во д ф о рм ул д ля ра счета электрическо го п о ля о т бо ко во й ча сти
п ла н а рн о го p-n п ерехо д а
Ра ссмо тр и м б о ко вую ча сть пла на р но го p-n пе р е хо да , за р яж е нную
по лно стью и о ни зи р о ва нно й а кце пто р но й пр и ме сью (р и с. 3), и р а ссчи та е м
со ста вляю щ и е по ля о тэто го сло я. Ра сче ты по ка зыва ю т, что б о ко вые сте нки
пла на р но го p-n пе р е хо да мо ж но пр и б ли ж е нно за ме ни ть¼ - о й ци ли ндр а . Д ля
о пр е де ле ни я по ля в т. А (x,y) о тци ли ндр и че ско й ча сти p-n пе р е хо да р а зб и ва е м
это т сло й то лщ и но й (y0-y1) на m = ( y0 − y1 ) / ∆y то нки х по дсло е в то лщ и но й
∆y . Ка ж дый по дсло й р а зб и ва е м на ци ли ндр ы с р а ди усо м о сно ва ни я
R = ∆y / 2 . П о лно е ко ли че ство ци ли ндр о в в по дсло е ni = π ( ri + R ) ( 4 R ) .
В ыб и р а е м пр о и зво льный по дсло й с р а ди усо м це нтр а льно й ча сти ri+R/2 и
р а ссчи тыва е м со ста вляю щ и е по ля о т это го по дсло я. Со ста вляю щ и е по ля о т
пе р во го ци ли ндр а это го по дсло я:
9
Страницы
- « первая
- ‹ предыдущая
- …
- 7
- 8
- 9
- 10
- 11
- …
- следующая ›
- последняя »
