ВУЗ:
Составители:
136
(а) Увеличение температуры источника испарения.
(б) Изменение материала подложки.
(в) Удвоение расстояния источник – подложка.
(г) Увеличение температуры подложки.
(д) Улучшение вакуумной системы.
(
Tk
GEE
MRT
PN
arN
B
sdes
A
2
exp
2
sin2
21
0
(5.75))
5.3. Если пленка из материал А растет на подложке из материала В (а)
по механизму Франка-ван дер Мерве, (б) по механизму Вольмера-
Вебера, каков будет механизм роста пленки из материала В на
подложке из материала А в каждом случае? Рассмотрите различные
соотношения между энергиями поверхности и границы раздела.
5.4. Считать, что (110) сетка подложки содержит адатомы, лежащие
вдоль [001] и [
011
] направлений.
(а) Если адатомы располагаются над атомом, (однако через атом)
подложки идентифицируйте покрытие используя описанные
обозначения.
(б) Полагая, адатомы растянуты через одного вдоль [
011
]
направления. Идентифицируйте покрытие.
Сделайте эскиз подложки и расположения адатомов для обеих случаев.
5.5.На графике Аррениуса насыщающей концентрации островков,
измеренной в случае роста Ag на поверхности Pt(111), наблюдаются
два участка с наклоном 56 и 122 мэВ для размеров критических
островков i = 1 и i = 2 соответственно. Рассчитайте энергию связи димера
Ag-Ag и энергию миграции адатомов Ag на поверхности Pt(111).
