ВУЗ:
Составители:
138
22. Табор М. Хаос и интегрируемость в нелинейной динамике. М.:
Янус. 2001. -318с.
23. Броуддай К., Мерей Д. Физические основы микротехнологии.
М.: Мир. 1985. -475с.
24. Колонцова Е.З. Радиационно-индуцированные состояния в
кристаллах с ионно-ковалентными связями. УФН. 1989.Т. 151,
вып.1. -с. 159-173.
25. Солидов А.И. Туннельная микроскопия. М.: Наука и жизнь.
1986. № 5 - с.34 -41.
26. Мильвидский М.Г., Уфимцев В.Б. Полупроводниковые
материалы на современном этапе развития твердотельной
электроники. Неорганические материалы. Т.35. № 3. 2000. -
с.360-368.
27. Зенгул Э, Физика поверхности, М:. Мир. 1990
28. Тонкие пленки. Взаимная диффузия и реакции, под ред. Дж.
Поута, К. Ту, Дж. Мейера, М:. Мир. 1982
29. John Venables, Introduction to Surface and Thin Film Processes,
published by Cambridge University Press (2000).
30. Данилин Применение плазмы для …
31. Ohring M. Material science of thin films, Deposition and Structure,
Academic Press, USA, (2002), p. 794
32. Медведев С.А. Введение в технологию полупроводниковых
материалов, ВШ. Москва. 1970
33. Пасынков В.В., Сорокин В.С., Материалы электронной
техники, Москва, Изд. Лань, 2002
34. Таиров Ю.М., Цветков В.Ф., Технология полупроводниковых и
диэлектрических материалов, Санкт-Петербург, Изд. Лань,
2002
35. Моррисон С., Химическая физика поверхности твердого тела,
М:. Мир, 1980
36. Барыбин А.А., Сидоров В.Г. Физико-технологические основы
электроники, Санкт-Петербург, Изд. Лань, 2001.-272.
37. Аброян И.А., Андронов А.Н., Титов А.И., Физические основы
электронной и ионной технологии –М.: Высш. шк., 1984.-320 с.
38. Попов В.Ф., Горин Ю.Н. Процессы и установки электронно-
ионной технологии, –М.: Высш. шк., 1988.-255 с.
39. Келли Б. Радиационное повреждение твердых тел, Москва.
Атомиздат, 1970.- 235 с.
40. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Адсорбционные процессы на
поверхности полупроводников и диэлектриков М.: Наука, 1978,
256 с.
41. Киселев В.Ф., Крылов О.В. Электронные явления в адсорбции и
катализе на полупроводниках и диэлектриках. М.: Наука, 1979,
236с.
