ВУЗ:
Составители:
137
ЛИТЕРАТУРА
1. Киттель Ч. Введение в физику твердого тела, Москва «Наука»,
1989.
2. Блейкмор Дж. Физика твердого тела, Москва, «Мир», 1988.
3. Павлов П.В., Хохлов А.Ф., Физика твердого тела, Москва, ВШ.
2000.
4. Киреев П.С. Физика полупроводников. Учебн. пособие для
втузов. М:, «Высшая школа», 1975.
5. Kasap S.O. Principles of Electrical Engineering Materials and
Devices, McGraw-Hill Higher Education, New York, 2000, p.p.690.
6. Уэрт Ч., Томсон Р. Физика твердого тела, М:. Мир. 1969.
7. Орешкин П.Т. Физика полупроводников и диэлектриков, М:,
«Высшая школа», 1975.
8. Жирифалько Л., Статистическая физика твердого тела, М:. Мир.
1975.
9. Тареев Б.М. Физика диэлектрических материалов. - М.:
Энергоиздат, 1982.
10. Пасынков В.В., Сорокин В.С. Материалы электронной техники.
-М.: Высш. школа, 1986.
11. Гурвич А.М. Введение в физическую химию
кристаллофосфоров. -М.:Высш.шк, 1982. Вавилов B.C. Действие
излучений на полупроводники. М.: Физматгиз.1963. -264с.
12. Вавилов B.C., Ухин Н.А. Радиационные эффекты в
полупроводниках и полупроводниковых приборах. М.:
Атомиздат. 1969. - 311 с.
13. Динc Дж., Винйард.Д. Радиационные эффекты в твердых телах.
М.: ИЛ. 1960. -243с.
14. Болтакс Б.И. Диффузия и точечные дефекты в
полупроводниках. М.: Наука. 1972.-384с.
15. Вавилов B.C., Кив А.Е., Ниязова О.Р. Механизмы образования и
миграции дефектов в полупроводниках. М.: Наука. 1981. - 368 с.
16. Конобеевский С.Т. Действие излучений на материалы. М.:
Атомиздат. 1967. -401с.
17. Винецкий В.Л., Холодарь Г.А. Радиационная физика
полупроводников. Киев.: Наукова Думка. 1979. - 335.
18. Шалаев A.M. Радиационно-стимулированная диффузия в
металлах. М.: Мир.1973.147с.
19. Дамаск А., Динс Дж. Точечные дефекты в металлах. М.: Мир.
1966. - 291 с.
20. Эланго М. Элементарные неупругие радиационные процессы.
М.: Наука. .1988.-148с.
21. Батавин В.В., Концевой Ю.А., Федорович Ю.В. Измерение
параметров полупроводниковых материалов и структур. М.:
Радио и связь. 1985. - 264 с.
