Моделирование задач радиофизики и электроники в системе Mathcad. Радченко Ю.С - 38 стр.

UptoLike

ВУЗ: 

ВГУ | Воронеж

Составители: 

Рубрика: 

38
>
<
=
И
И
tt
t tприB
0
10
)t(u
,t
И
= 3 нс .
Использовать аппроксимацию сток -затворной характеристики
I
C
(U) = S U[1 – exp(-pU
C
/U)]
с параметрами S = 0,03 А /В, p = 2. Расчёт u
ВЫХ
(t) провести для интервала
0-10 нс в идеальных условиях L = 0, R
Г
= 0 при Е
С
= 20, R
C
= 100 Ом и
суммарной ёмкости С = 10 пФ .
3.11. Рассчитать переходные процессы в ключе на полевом транзисторе
малой мощности (рис . 3.13) при действии напряжения
≥
<
=
нс6t
нс6 tприkt
В3
)t(u k = 0.5B/нс
Использовать единую аппроксимацию ВАХ полевого транзистора с
управляющим p-n переходом:
I(U) = bU
2
[1 – exp(-kU
C
/U)]
При U = U
З
- U
ОТС
, b = 5мА /В
2
, k = 1, U
ОТС
= 3 В. Расчёт временной
диаграммы u(t) провести для интервала 0-20 нс с шагом 1нс и параметров
ключа R = 1 кОм, E = 15 В, C = 20 пФ .
Рис . 3.13
C
Р
ВХ
R
З
-Е
З
+E
C
R
ВЫХ
U(t) 
                                            38

              10 B при t < t И
     u( t ) =                      ,t И = 3 нс .
                  0   t > tИ

Ис поль зоват ь аппрок с имацию с т ок -зат ворной х арак т ерис т ик и
     IC(U) = S U[1 –exp(-pUC/U)]
с парамет рами S = 0,03 А /В, p = 2. Рас чё т uВЫ Х (t) провес т и д ля инт ервала
0-10 нс в ид еаль ных ус ловиях L = 0, RГ = 0 при ЕС = 20, RC = 100 О м и
с уммарной ё мк ос т и С = 10 пФ .

3.11. Рас с чит ат ь перех од ные процес с ы в к лю че на полевом т ранзис т оре
малой мощ нос т и (рис . 3.13) при д ейс т вии напряжения
              kt при t < 6 нс
     u( t ) =                     k = 0.5B/нс
               3В     t ≥ 6 нс

      Ис поль зоват ь ед иную аппрок с имацию ВА Х полевого т ранзис т ора с
управляю щ им p-n перех од ом :
      I(U) = bU2 [1 – exp(-kUC/U)]
      При U = UЗ - UО ТС , b = 5мА /В2 , k = 1, UО ТС = 3 В. Рас чё т време нной
д иаграммы u(t) провес т и д ля инт ервала 0-20 нс с ш агом 1нс и парамет ров
к лю ча R = 1 к О м, E = 15 В, C = 20 пФ .


                                                      +EC

                                                      R
                        CР                                В ЫХ
                                                            U(t)
                ВХ
                                   RЗ
                                  -Е З



                                         Рис . 3.13

Страницы